内田 建 | 東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻

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概要

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• 内田 建

  東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻

• 内田 建

  東京工業大学

• 内田 建

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 内田 建

  「応用物理」編集委員会

• 内田 建

  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 小寺 哲夫

  東大理

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センター

• 高橋 綱己

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 山端 元音

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 小木 純

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 小寺 哲夫

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 齋藤 真澄

  東芝

• 小田 俊理

  東京工業大学総合理工学研究科

• 山端 元音

  東京工業大学 電子物理工学専攻

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST

• 齋藤 真澄

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

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著作論文

• 半導体の不純物によるキャリアと反転層のキャリアの違いは?
• CT-2-1 歪みによるCMOSデバイスの高性能化(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• 強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 歪み技術による (100) および (110) トランジスタの性能向上戦略

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