小寺 哲夫 | 東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST

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概要

• 同名の論文著者
• 東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JSTの論文著者

関連著者

• 小寺 哲夫

  東大理

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST

• 小寺 哲夫

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構

• 樽茶 清悟

  東大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノエレ研セ

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• 小田 俊理

  東京工業大学総合理工学研究科

• 小幡 利顕

  東大工

• 武田 健太

  東大工

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 福岡 佑二

  東工大量子ナノエレ研セ

• 小幡 利顕

  ICORP-JST:東大工

• 吉田 勝治

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 樽茶 清悟

  東大理

• 大野 圭司

  Icorp-jst:理研

• Oda S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut

• 吉田 勝治

  東大工

• 澤野 憲太郎

  東京都市大

• 大野 圭司

  理研

• 北村 陽介

  東大工

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 北村 陽介

  東工大

• 澤野 憲太郎

  都市大総研

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 内田 建

  東京工業大学

• 山端 元音

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 内田 建

  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

• 大塚 朋廣

  東大工

• 白木 靖寛

  東京都市大学工学部

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 佐々木 智

  NTT物性基礎研

• 山端 元音

  東工大量子ナノ研

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構:東大生産研

• 佐々木 智

  Nit物性基礎研

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 大野 圭司

  東大理

• 佐々木 智子

  NTT基礎研

• 高橋 綱己

  東京工業大学電子物理工学専攻

• Sailer Juergen

  東大工

• 堀部 浩介

  東工大量子ナノ研セ

• 蒲原 知宏

  東工大量子ナノ研セ

• 内田 建

  東工大院理工

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 都倉 康弘

  ICORP-JST

• 小林 孝嘉

  東大理

• 久保 敏弘

  Icorp

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 小幡 利顕

  ICORP-JST

• 申 潤錫

  ICORP-JST

• ブルナー ロランド

  ICORP-JST

• 小林 孝嘉

  東大院理 Crest

• Ferrus Thierry

  日立ケンブリッジ研

• 中岡 俊裕

  東大ナノ量子機構

• Williams David

  日立ケンブリッジ研

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 佐藤 俊彦

  Erato

• 高坂 繁弘

  東大理

• 樽茶 清悟

  Ntt物基礎研:東大

• 岩井 泰章

  東大理

• 丸山 達朗

  NTT-AT

• 太田 剛

  NTT物性基礎研

• 内田 建

  東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻

• 藤 貴夫

  東大理

• 山田 和正

  九大院理

• 山田 和正

  九大理

• Wiel W.

  東大理

• 山田 和正

  JST-ERATO

• 佐藤 俊彦

  JST-ERATO

• 丸山 達朗

  JST-ERATO

• 太田 剛

  JST-ERATO

• 久保 敏弘

  CORP-JST

• 天羽 真一

  CORP-JST

• 樽茶 清悟

  CORP-JST

• 大野 圭司

  東大工

• 佐々木 智

  Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科

• Wiel van

  東大理O

• 荒川 泰彦

  東大生研

• 小木 純

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 三上 秀治

  東大院理,CREST

• 三上 秀治

  東大理

• 荒川 泰彦

  1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会

• 藤沢 利正

  Ntt物性基礎研

• 申 潤錫

  ポハン大理工

• ブルナ ロランド

  レオベン大

• Wiel W.

  PRESTO

• 樽茶 清吾

  日本電信電話公社武蔵野通研

• Arakawa Yasuhiko

  Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O

• 藤 貴夫

  理化学研究所

• 三上 秀治

  東大院理 Crest

• Wiel W.

  東大理:jst-presto

• 佐々木 智

  Ntt物性基礎研:東北大院理

• 山端 元音

  東京工業大学 電子物理工学専攻

• 角谷 直哉

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 陳 君〓

  東京工業大学電子物理工学専攻

• Bougeard Dominique

  Walter Schottky Institut, Technische Universitat Munchen

• Bougeard Dominique

  Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen:institut Fur Experimentelle And Angewandte P

• 澤野 憲太郎

  東京都市大学

• Williams D.

  ブリッジ研

• 林 文城

  東工大量子ナノ研セ

• Ferrus T.

  ブリッジ研

• Rossi A.

  ブリッジ研

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研セ

• 樽茶 清悟

  東京大学大学院工学系研究科

• Abstreiter Gerhard

  Universitat Regensburg

• Wild Andreas

  Technische Universitat Munchen

• Bougeard Dominique

  Technische Universitat Munchen

• 白木 靖寛

  東京都市大

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ

• 神岡 純

  東工大量子ナノ研セ

• アクタ ワシーム

  東大工

• Wiel W.G.

  東大理

• 樽荼 清悟

  東大理

• 樽荼 清悟

  東大理:NTT物性基礎研:

• 樽茶 清悟

  NTT電気通信研究所

• 大野 圭司

  東大理:

• 樽茶 清悟

  NTT物性基礎研:東大理:ERATO Mesoscopic Correlation Project

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著作論文

• 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-8 縦型二重量子ドットにおける交換エネルギー(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 21aTA-13 直列二重ドットにおけるコヒーレント伝導(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTH-1 少数電子 2 重量子ドットの高周波操作
• 強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
• 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 17aRE-3 フェムト秒パルス対による分子振動モードの動力学
• 23aXL-9 縦型二重量子ドットにおけるスピン一重項-三重項のミキシング制御(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-7 2重量子ドットスピンブロッケード条件でのマイクロ波照射効果(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 高不純物濃度のETSOI (Extremely-thin SOI)拡散層における移動度の異常な振る舞い(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aBJ-9 シリコン量子ドットを用いた電荷検出(24aBJ 微小接合・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 7pSA-3 単一電子2重量子ドットにおける光介在トンネリング(量子ドット,領域4)

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