Arakawa Yasuhiko | Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University Oの論文著者

関連著者

• 荒川 泰彦

  東大生研

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 荒川 泰彦

  東京大学先端科学技術研究センター

• 荒川 泰彦

  東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所

• 荒川 泰彦

  東大

• 荒川 泰彦

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• 荒川 薫

  明治大学理工学部情報科学科

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構:東大生産研

• 渡部 宏明

  東京大学先端科学技術研究センター

• 渡部 弘明

  東京大学先端科学技術研究センター

• 岩本 敏

  東京大学生産技術研究所

• ARAKAWA Yasuhiko

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• 岩本 敏

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• ARAKAWA Yasuhiko

  Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo

• 田辺 克明

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 勝山 俊夫

  (株)日立製作所・中央研究所

• 細見 和彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 勝山 俊夫

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 勝山 俊夫

  日立 中研

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所ncrc

• 細見 和彦

  東京大学生産技術研究所ncrc:(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• Ishida S

  Institute Of Industrial Science Research Center For Advanced Science And Technology And Nanoelectron

• 山田 宏治

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 深町 俊彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 山田 宏治

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会

• 野村 政宏

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 渡邉 克之

  東大ナノ量子機構

• 深町 俊彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• ISHIDA Satomi

  Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo

• NISHIOKA Masao

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 有田 宗貴

  東京大学先端科学技術研究センター

• Iwamoto Satoshi

  Institute Of Industrial Science Research Center For Advanced Science And Technology And Nanoelectron

• 中岡 俊裕

  東大ナノ量子機構

• YOKOYAMA Naoki

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• IWAMOTO Satoshi

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• Ishida Satomi

  Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo

• Tatebayashi Jun

  Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• TAKEMOTO Kazuya

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• HIROSE Shinichi

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• ISHIDA Satomi

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• USUKI Tatsuya

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• 石田 悟己

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• Usuki Tatsuya

  Collaborative Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo

• Usuki Tatsuya

  Fujitsu Lab. Ltd. Atsugi Jpn

• Takatsu Motomu

  Faculty Of Engineering University Of Tokyo

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 岡田 卓也

  明治大学理工学部情報科学科:(現)(株)日立ソフトウェア

• 熊谷 直人

  東大ナノ量子機構

• KUMAGAI Naoto

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• MIYAZAWA Toshiyuki

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• IWAMOTO Satoshi

  Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo

• 西岡 政雄

  東京大学生産技術研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• GUIMARD Denis

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• BORDEL Damien

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 岡田 卓也

  明治大 理工

• 佐川 みすず

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 荒川 泰彦

  東京大学

• MIYAZAWA Toshiyuki

  Collaborative Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo

• TAKATSU Motomu

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• SAKUMA Yoshiki

  National Institute for Materials Science

• NOMURA Masahiro

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• TATEBAYASHI Jun

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• NAKAOKA Toshihiro

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• TAKATSU Motomu

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• 佐川 みすず

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐川 みすず

  東京大学生産技術研究所ncrc:(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 五明 明子

  日本電気

• 関根 徳彦

  情報通信研究機構

• 五明 明子

  NEC基礎研

• Sakuma Y

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• Sakuma Yoshiki

  National Inst. Materials Sci.(nims) Tsukuba Jpn

• 関根 徳彦

  東京大学生産技術研究所

• 十川 文博

  東京大学生産技術研究所

• 菅原 俊樹

  (株)日立製作所中央研究所

• 徳島 正敏

  Nec 基礎・環境研究所

• 五島 滋雄

  東京大学生産技術研究所NCRC

• 橋本 玲

  東芝研究開発センター

• 櫛部 光弘

  東芝研究開発センター

• 江崎 瑞仙

  東芝研究開発センター

• 西岡 政雄

  東京大学先端科学技術研究センター

• WATANABE Katsuyuki

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• NAKAOKA Toshihiro

  Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 平川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 年吉 洋

  東京大学 生産技術研究所

• 江崎 瑞仙

  (株)東芝研究開発センター

• Shi Yi

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo:department Of Physics Nanjing University

• Shi Yi

  Department Of Physics & National Laboratory Of Solid State Microstructures Nanjing University

• 肥後 昭男

  東京大学先端研

• 年吉 洋

  東京大学先端研

• 橘 邦英

  愛媛大学大学院工学研究科電子情報工学専攻

• Jayavel Pachamuthu

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Faculty Of Engineering Kobe University

• Kitamura Masatoshi

  Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo

• EBE Hiroji

  Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo

• SUGAWARA Mitsuru

  Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo

• AKIYAMA Tomoyuki

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• 菅原 俊樹

  (株)日立製作所 中央研究所

• 菅原 俊樹

  (株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 徳島 正敏

  NEC基礎研

• 山田 博仁

  NEC基礎研

• 熊谷 直人

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 野村 政宏

  東京大学生産技術研究所

• タンデーシーヌラット アニワット

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• ギマード デュニ

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 臼杵 達哉

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:富士通研究所

• 中岡 俊裕

  東京大学生産技術研究所

• Zhou H‐s

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. (aist) Ibaraki

• Liu Jie

  Department Of Histology And Cell Biology Unit Of Basic Medical Science Nagasaki University Graduate

• Wada Osamu

  Department Of Applied Quantum Physics Kyushu University

• 石田 悟己

  東京大学生産技術研究所,先端科学技術研究センター,ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 五明 明子

  MIRAI-Selete

• Zhou Hao-shen

  National Laboratory Of Solid State Microstructures And Department Of Physics Nanjing University

• Zhou Yu-gang

  National Laboratory Of Solid State Microstructures And Department Of Physics Nanjing University

• Noda Takeshi

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 斎藤 敏夫

  東京大学国際・産学共同研究センター

• 臼杵 達哉

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• WATANABE Masanobu

  Electrotechnical Laboratory, Optical Information Section

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 藤田 博之

  東京大学

• 樽茶 清悟

  東大工

• 山田 博仁

  東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 石井 晃

  鳥取大学大学院工学研究科

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研

• Ferrus Thierry

  日立ケンブリッジ研

• 山端 元音

  東工大量子ナノ研

• Williams David

  日立ケンブリッジ研

• Kamiya Takeshi

  Department Of Gastroenterology And Metabolism Nagoya City University Graduate School Of Medical Scie

• 山本 倫久

  東大工:erato-jst

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 馬場 俊彦

  横浜国立大学電子情報工学科

• SHIMURA Tsutomu

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• KURODA Kazuo

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 年吉 洋

  東京大学

• 小圭 哲去

  東大ナノ量子機構

• 都木 宏之

  東大工

• 渡邊 克之

  東大ナノ量子機構

• 樽茶 清悟

  東大ナノ量子機構

• 小寺 哲夫

  東大理

• 赤松 正二

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• HIROSE Shinnichi

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• OKUMURA Shigekazu

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• USUKI Tatsuya

  Collaborative Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo

• ARAKAWA Yasuhiko

  Collaborative Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo

• USUKI Tatsuya

  Nanoelectronics Collaborative Research Center, Institute of Industrial Science, and Research Center

• MIYAZAWA Toshiyuki

  Nanoelectronics Collaborative Research Center, Institute of Industrial Science, and Research Center

• ARAKAWA Yasuhiko

  Nanoelectronics Collaborative Research Center, Institute of Industrial Science, and Research Center

• NAKATA Yoshiaki

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• FUKUDA Tatsuya

  Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo

• Ser CAMOU

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 赤松 正二

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会

• 石井 晃

  鳥取大工

• 牛田 淳

  NEC基礎・環境研

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構

• 肥後 昭男

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 年吉 洋

  東京大学生産技術研究所マイクロメカトロニクス国際研究センター

• 年吉 洋

  東京大学生産技術研究所

• 山本 倫久

  東大物工

• 荒川 薫

  明治大学

• 内藤 裕郎

  明治大学理工学部

• Arakawa Yasuhiko

  Collaborative Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo

• 太田 泰友

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 太田 泰友

  東京大学先端科学技術研究センター

• 熊谷 直人

  東京大学生産技術研究所

• 岩本 敏

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 井手 利英

  横浜国立大学工学研究院

• 館林 潤

  東京大学生産技術研究所

• 岩本 敏

  東京大学先端科学技術研究センター

• 儲 涛

  Nec基礎・環境研究所:(財)光産業技術振興協会

• 牛田 淳

  Nec基礎・環境研究所:(財)光産業技術振興協会

• 荒川 泰彦

  東京大学 生産技術研究所

• 志村 努

  東大 生産技研

• Takemoto Kazuya

  Institute Of Physics University Of Tsukuba:(present Address)fujitsu Laboratories Ltd.

• ABE Yasuhiro

  Department of Biopharmaceutics, Graduate School of Pharmaceutical Sciences, Osaka University

• 馬場 俊彦

  横浜国立大学工学研究院

• 石井 晃

  鳥取大 工

• 五十嵐 悠一

  東大理

• Watanabe M

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• 中川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 肥後 昭男

  東京大学生産技術研究所

• 石田 悟己

  東京大学先端科学技術研究センター

• Fujita H

  3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 山端 元音

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 小寺 哲夫

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 馬場 俊彦

  横浜国立大学

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• Yan Feng

  National Laboratory Of Solid State Microstructures And Department Of Physics Nanjing University

• Park S‐k

  Information Display Research Center Korea Electronics Technology Institute

• Yu Hui-qiang

  National Laboratory Of Solid State Microstructures And Department Of Physics Nanjing University

• Fujii T

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Fujii Teruo

  Center For International Research On Micromechatronics (cirmm) Institute Of Industrial Science The U

• Watabe Hiroaki

  Research Center For Advanced Science And Technology The University Of Tokyo

もっと見る 閉じる

著作論文

• 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SC-1-9 フォトニック結晶の分散制御と光素子への応用
• 量子ドット光デバイスと国家プロジェクト
• 榊裕之先生,平成20年度文化功労者に
• 1.総論:先端ナノフォトニクスの展開 : 量子ドットを中心にして(進化する先端フォトニックデバイス)
• First Demonstration of Electrically Driven 1.55μm Single-Photon Generator
• MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• Single-photon generator for telecom applications
• Photonic Crystal Nanocavity Continuous-wave Laser Operation at Room Temperature
• 学術講演「未来社会に向けた工学の新展開〜エレクトロニクスを中心にして〜」
• Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands
• Single-Photon Generation in the 1.55-μm Optical-Fiber Band from an InAs/InP Quantum Dot
• Observation of Light Emission at-1.5μm from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity
• Lab-on-a-chip:towards the miniaturization and integration of fluorescencespectroscopy based detection method onto portable device
• 量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 〔invited〕量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 超低閾値ナノ共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
• 「総論:ナノテクノロジーと次世代情報通信技術>
• A-4-8 拡張成分分離型ε-フィルタの最適設計とその画像処理への応用
• 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 和文論文誌を研究情報発信の場に : 論文誌活性化に向けて
• 光エレクトロニクス
• 光エレクトロニクス
• 光エレクトロニクス
• 20aYK-12 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流,発光の制御(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 1.3μm帯フォトニック結晶ナノ共振器レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第21回)フォトニック結晶ナノ共振器を利用した光と物質の相互作用制御
• BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
• InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• シリコン上1.3μm量子ドットレーザ--光LSI融合システム構築に向けて
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
• 通信用フォトニック結晶デバイスと光集積回路(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
• MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• MEMS-フォトニック結晶機能素子の作製方法
• 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
• 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
• Investigation of the Polarization-Induced Charges in Modulatlon Doped Al_xGa_N/GaN Heterostructures through Capacitance-Voltage Profiling and Simulation
• Influence of Ferroelectric Polarization on the Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Pb(Zr_Ti_)O_3/Al_xGa_N/GaN Structures
• Characterization of Proton-Irradiated InGaAs/GaAs Multiple Quantum Well Structures by Nonresonant Transient Four-Wave Mixing Technique
• 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• グリーンICT社会に向けたフォトニックデバイス : 量子,ナノ,光の融合(エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
• 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
• 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
• ナノテクノロジ-と先端デバイス
• 光通信技術の研究開発動向 (特集 光通信技術の最新動向)
• 量子ドットレーザー (特集 半導体レーザー・最近の話題)
• CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
• CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
• Enhanced Optical Properties of High-Density (>10^/cm^2) InAs/AlAs Quantum Dots by Hydrogen Passivation
• Area-Controlled Growth of InAs Quantum Dots by Selective MOCVD
• Optical Characteristics of Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Nanocavities with Self-Assembled InAs Quantum Dots for 1.3μm Light Emission
• Transmission Experiment of Quantum Keys over 50km Using High-Performance Quantum-Dot Single-Photon Source at 1.5μm Wavelength
• (マイクロマシン)
• Vertical Microcavity Lasers with InGaAs/GaAs Quantum Dots Formed by Spinodal Phase Separation
• Area Density Control of Quantum-Size InGaAs/Ga(Al)As Dots by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Formation of InGaAs Quantum Dots on GaAs Multi-Atomic Steps by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth
• ナイトライド面発光半導体レーザの常圧MOCVD成長
• 低次元量子構造作製技術とデバイス応用の現状と展望 : 量子ドットを中心にして
• 25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• A-4-3 成分分離型ε-フィルタの最適設計
• SA-1-2 一般化ε-分離型非線形フィルタバンクを用いたルールベース顔画像美観化システム
• A-4-3 ε-分離型非線形フィルタバンクとその顔画像処理への応用
• A-4-25 成分分離型ε-フィルタとその顔画像美観化への応用
• MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• Progress in GaN-Based Nanostructures for Blue Light Emitting Quantum Dot Lasers and Vertical Cavity Surface Emitting Lasers(Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
• Lasing Emission from an In_Ga_N Vertical Cavity Surface Emitting Laser
• 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Phototransistors Using Point Contact Structures
• Phototransistors Using Point Contact Structures
• Tarahertz Emission from Quantum Beats in Coupled Quantum Wells
• Terahertz Emission from Quantum Beats in Coupled Quantum Wells
• Investigation of the Spectral Triplet in Strongly Coupled Quantum Dot-Nanocavity System
• Two-Photon Control of Biexciton Population in Telecommunication-Band Quantum Dot
• Large Vacuum Rabi Splitting in Single Self-Assembled Quantum Dot-Nanocavity System
• Three-Dimensional Imaging of GaN Films Using Transient Two-Photon Absorption Excited by Near-Infrared Laser Pulses
• Enhanced Luminance Efficiency of Organic Light-Emitting Diodes with Two-Dimensional Photonic Crystals
• Enhanced Luminance Efficiency from Organic Light-Emitting Diodes with 2D Photonic Crystal
• ハードウェアでの実装に適した非線形ディジタルフィルタ(「非線形ディジタル信号処理とその応用特集号」)
• 成分分離型ε-フィルタを用いた音声の雑音低減法(ディジタルデータ付き論文特集)
• A-4-4 ε-フィルタバンクによる音声の雑音低減 : 小振幅低周波雑音の除去
• ファジィ論理を用いた非線形画像処理
• ファジィ論理を用いた非線形画像処理
• A-4-36 成分分離型ε-フィルタによる音声の雑音低減 : スペクトルサブトラクション法との組み合わせ
• A-4-56 適応成分分離型ε-非線形ディジタルフィルタを用いた音声の雑音除去
• 多層非線形成分分離型フィルタによる顔画像美観化
• A-4-24 ε-フィルタを用いた非線形逆フィルタの最適設計
• A-4-50 カラー顔画像美観化を目的とした条件付きメディアンフィルタ
• A-4-42 ε-フィルタを用いた非線形等化器 : 非線形逆フィルタの構成
• マルチメディア画像処理
• ε-フィルタを用いたブロック符号化に伴う歪みの除去 : ハードウェア化に適した非線形ポストフィルタ
• Quantum Computation with Coupled Quantum Dots
• 窒化物半導体量子ドットの形成とレーザーへの応用 (窒化物・青色光半導体)
• 次世代窒化物半導体レーザーの展望 : -青色面発光レーザーと青色量子ドットレーザー-
• Nonlinear Inverse Filter Using ε-Filter and Its Application to Image Restoration(Special Section on Intelligent Signal and Image Processing)
• GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
• GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
• Complementary Two-input NAND Gates with Low-voltage-operating Organic Transistors on Plastic Substrates
• ナノ構造フォトニクス素子の展開 (〈特集〉ナノサイエンスの現状と将来の展望)
• ナノテクノロジー研究の展開 (特集:第2期科学技術基本計画と我が国における学術研究の今後の展開)
• Line Broadening of Photoluminescence Excitation Resonances in Single Self-Assembled Quantum Dots : Optical Properties of Condensed Matter
• 解説 次世代青色半導体レーザの展望--青色面発光レーザと青色量子ドットレーザ
• GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
• GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
• 4-1 量子ドットレーザの展望 : 4. ナノオプトロニクス(ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
• Lasing Oscillation of Vertical Microcavity Quantum Dot Lasers
• Grain Size Dependence of Field-Effect Mobility in Pentacene-Based Thin-Film Transistors
• Progress in Self-Assembled Quantum Dots for Optoelectronic Device Application(Special Issue on Recent Progress in Semiconductor Lasers and Light-Emitting Devices)
• 情報通信分野におけるナノテクノロジーの展望 (特集 新世代の情報通信技術)
• Outcoupling of Light Generated in a Monolithic Silicon Photonic Crystal Nanocavity through a Lateral Waveguide
• 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
• C-4-1 ウェハ融着によるSi基板上1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• Metal Organic Chemical Vapor Deposition Growth of High Spectral Quality Site-Controlled InAs Quantum Dots Using In situ Patterning
• 量子ドット太陽電池研究の展開
• Observation of 1.55 μm Light Emission from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity
• 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• Effects of InGaAs Insertion Layer on the Properties of High-Density InAs/AlAs Quantum Dots
• Organic Transistor Circuits for Application to Organic Light-Emitting-Diode Displays
• Control of InxGa1-xAs Capping Layer Induced Optical Polarization in Edge-Emitting Photoluminescence of InAs Quantum Dots
• Time-of-Flight Measurement of Lateral Carrier Mobility in Organic Thin Films
• Optical Polarization Properties of InAs/GaAs Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier
• 2 ナノオプトエレクトロニクスの展望
• SC-9-8 量子効果光デバイスの現状と展望
• 2 ナノオプトエレクトロニクスの展望
• ナノオプトエレクトロニクスの展望
• Microphotoluminescence Intensity Images of InGaN Single Quantum Wells
• C-4-10 InGaN面発光レーザの常圧MOCVD成長
• ナノ構造光デバイスの展開
• 「光機能デバイスの新展開特集号」の発行によせて
• ナノ・ピコ・フェムトの世界--量子化デバイスの実現へ向けて (ミクロの世界の掟)
• メジアン型ファジィフィルタの提案とその最適設計
• 半導体超構造と量子素子 (「超」の付く技術)
• 有機金属気相選択成長による量子細線の作製とその光物性
• Three-Dimensional Imaging of GaN Films Using Transient Two-Photon Absorption Excited by Near-Infrared Laser Pulses
• Collinear Polarization of Exciton/Biexciton Photoluminescence from Single Hexagonal GaN Quantum Dots
• Optical Characteristics of Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Nanocavities with Self-Assembled InAs Quantum Dots for 1.3 μm Light Emission
• Enhancement of Cavity-$Q$ in a Quasi-Three-Dimensional Photonic Crystal
• ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展(半導体レーザ関連技術,及び一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク