荒川 泰彦 | 東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センターの論文著者

関連著者

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 荒川 泰彦

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構:東大生産研

• 荒川 泰彦

  東大

• 岩本 敏

  東京大学生産技術研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 熊谷 直人

  東大ナノ量子機構

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 勝山 俊夫

  (株)日立製作所・中央研究所

• 細見 和彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 勝山 俊夫

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 勝山 俊夫

  日立 中研

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所ncrc

• 細見 和彦

  東京大学生産技術研究所ncrc:(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 荒川 泰彦

  東京大学

• 前多 泰成

  (株)QDレーザ

• 山田 宏治

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 深町 俊彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山田 宏治

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 荒川 泰彦

  東京大学先端科学技術研究センター

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 中岡 俊裕

  東大ナノ量子機構

• 江川 満

  株式会社富士通研究所

• 佐川 みすず

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• MIYAZAWA Toshiyuki

  Collaborative Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo

• TAKEMOTO Kazuya

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• TAKATSU Motomu

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• YOKOYAMA Naoki

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• HIROSE Shinichi

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• USUKI Tatsuya

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• 有田 宗貴

  東京大学先端科学技術研究センター

• 佐川 みすず

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐川 みすず

  東京大学生産技術研究所ncrc:(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 江部 広治

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 山本 剛之

  株式会社富士通研究所

• 尾中 寛

  富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

• 池内 公

  富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

• 菅原 俊樹

  (株)日立製作所中央研究所

• 尾中 寛

  (株)富士通研究所

• 五神 真

  東大工

• 小西 邦昭

  東大工

• 野村 政宏

  東大ナノ量子機構

• 岩本 敏

  東大ナノ量子機構

• 五島 滋雄

  東京大学生産技術研究所NCRC

• 橋本 玲

  東芝研究開発センター

• 櫛部 光弘

  東芝研究開発センター

• 江崎 瑞仙

  東芝研究開発センター

• 西岡 政雄

  東京大学先端科学技術研究センター

• IWAMOTO Satoshi

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• ISHIDA Satomi

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• ARAKAWA Yasuhiko

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• ISHIDA Satomi

  Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo

• 富沢 将人

  財団法人光産業技術振興協会:日本電信電話株式会社未来ねっと研究所

• 竹本 享史

  (株)日立製作所中央研究所

• 辻 伸二

  (株)日立製作所中央研究所

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 菅原 充

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 江崎 瑞仙

  (株)東芝研究開発センター

• 尾中 寛

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通株式会社

• 五神 真

  東大工:crest(jst):東大ナノ量子機構

• 秋山 知之

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 石村 栄太郎

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 青柳 利隆

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 竹内 昌治

  東京大学

• 日高 睦夫

  超電導工学研究所

• 丸山 道隆

  超電導工学研究所

• 橋本 義仁

  超電導工学研究所

• 鈴木 秀雄

  超電導工学研究所

• 藤原 完

  超電導工学研究所

• 日野出 憲治

  超電導工学研究所

• 佐藤 哲朗

  超電導工学研究所

• 永沢 秀一

  超電導工学研究所

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 藤田 博之

  東京大学

• 樽茶 清悟

  東大工

• 石村 栄太郎

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 石井 晃

  鳥取大学大学院工学研究科

• 杉立 厚志

  三菱電機(株)

• 宮原 利治

  三菱電機(株)

• 大畠 伸夫

  三菱電機(株)

• 斎藤 健

  三菱電機(株)

• 大和屋 武

  三菱電機(株)

• 尾中 寛

  財団法人光産業技術振興協会

• 池内 公

  財団法人光産業技術振興協会

• 辻 伸二

  財団法人光産業技術振興協会

• 竹本 享史

  財団法人光産業技術振興協会

• 栗林 亮介

  財団法人光産業技術振興協会

• 柳町 成行

  財団法人光産業技術振興協会

• 富沢 将人

  財団法人光産業技術振興協会

• 相澤 茂樹

  財団法人光産業技術振興協会

• 荒川 薫

  明治大学理工学部情報科学科

• 斎藤 健

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研

• Ferrus Thierry

  日立ケンブリッジ研

• 山端 元音

  東工大量子ナノ研

• Williams David

  日立ケンブリッジ研

• 山本 倫久

  東大工:erato-jst

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 徳島 正敏

  Nec 基礎・環境研究所

• 年吉 洋

  東京大学

• 相澤 茂樹

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 小圭 哲去

  東大ナノ量子機構

• 都木 宏之

  東大工

• 渡邊 克之

  東大ナノ量子機構

• 樽茶 清悟

  東大ナノ量子機構

• 小寺 哲夫

  東大理

• 赤松 正二

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• HIROSE Shinnichi

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• OKUMURA Shigekazu

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• USUKI Tatsuya

  Collaborative Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo

• ARAKAWA Yasuhiko

  Collaborative Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo

• USUKI Tatsuya

  Nanoelectronics Collaborative Research Center, Institute of Industrial Science, and Research Center

• MIYAZAWA Toshiyuki

  Nanoelectronics Collaborative Research Center, Institute of Industrial Science, and Research Center

• SAKUMA Yoshiki

  National Institute for Materials Science

• ARAKAWA Yasuhiko

  Nanoelectronics Collaborative Research Center, Institute of Industrial Science, and Research Center

• NOMURA Masahiro

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• WATANABE Katsuyuki

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• KUMAGAI Naoto

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• NAKATA Yoshiaki

  Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr

• MIYAZAWA Toshiyuki

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• TATEBAYASHI Jun

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• NAKAOKA Toshihiro

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• TAKATSU Motomu

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• 岸野 克己

  上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構

• 波多野 睦子

  (株)日立製作所

• 赤松 正二

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会

• 石井 晃

  鳥取大工

• 宮原 利治

  (財)光産業技術振興協会:2三菱電機株式会社

• 杉立 厚志

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 大畠 伸夫

  (財)光産業技術振興協会:2三菱電機株式会社

• 五明 明子

  日本電気

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構

• 肥後 昭男

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 館林 潤

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 須藤 久男

  富士通研究所

• 倉又 朗人

  富士通研究所

• 浅野 種正

  九州大学システム情報科学研究院

• 浅野 種正

  九州大学

• 鈴木 秀雄

  国際超電導産業技術研究センター

• 丸山 道隆

  産業技術総合研究所

• 橋本 義仁

  財団法人国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所

• 年吉 洋

  東京大学 生産技術研究所

• 伊賀 健一

  国立大学法人東京工業大学

• 尾中 寛

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 青柳 利隆

  三菱電機株式会社

• 青柳 利隆

  三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 荻野 俊郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 山本 倫久

  東大物工

• 池内 公

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 辻 伸二

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 竹本 享史

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 柳町 成行

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 富沢 将人

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 相澤 茂樹

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 肥後 昭男

  東京大学先端研

• 年吉 洋

  東京大学先端研

• 大畠 伸夫

  三菱電機株式会社

• 鈴木 秀雄

  財)国際超電導産業技術研究センター

• 日高 睦夫

  財)国際超電導産業技術研究センター

• 荒川 薫

  明治大学

• 渡部 宏明

  東京大学先端科学技術研究センター

• 荻野 俊郎

  NTT

• 高橋 琢二

  東京大学

• 河口 研一

  富士通(株)

• 江川 満

  富士通(株)

• 秋山 知之

  富士通(株)

• 植竹 理人

  富士通(株)

• 安岡 奈美

  富士通(株)

• 菅原 充

  富士通(株)

• 秋山 知之

  富士通株式会社

• 中田 義昭

  富士通株式会社

• 大坪 孝二

  富士通株式会社

• 藤原 完

  超電導工学研究所:日本学術振興会

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 浅野 種正

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 須藤 久男

  (株)富士通研究所

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著作論文

• 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 超伝導デバイスを用いた光信号波形モニタリング技術の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
• 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 省電力・高性能光I/O技術開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
• ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
• 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SC-1-9 フォトニック結晶の分散制御と光素子への応用
• 量子ドット光デバイスと国家プロジェクト
• 榊裕之先生,平成20年度文化功労者に
• 1.総論:先端ナノフォトニクスの展開 : 量子ドットを中心にして(進化する先端フォトニックデバイス)
• First Demonstration of Electrically Driven 1.55μm Single-Photon Generator
• MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• Single-photon generator for telecom applications
• Photonic Crystal Nanocavity Continuous-wave Laser Operation at Room Temperature
• 学術講演「未来社会に向けた工学の新展開〜エレクトロニクスを中心にして〜」
• Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands
• 超低閾値ナノ共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 40G/100Gイーサネット標準に向けた省電力・高性能光I/O技術の開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
• フォトニクスの新領域を開いた「面発光レーザー」
• ナノフォトニック素子への期待 : ナノテクノロジｰのフォトニック素子へのインパクト
• 自己形成ナノ構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 半導体ナノテクノロジーと次世代光デバイス
• 半導体ナノテクノロジーとレーザへの展開
• 27p-C-8 電子線誘起MOCVDとそのGaAs細線形成への応用
• 広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(量子ドットの使い道)
• 量子ドット光増幅器と光スイッチ
• 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ
• 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ (光エレクトロニクス)
• 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ (フォトニックネットワーク)
• 20aYK-12 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流,発光の制御(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第21回)フォトニック結晶ナノ共振器を利用した光と物質の相互作用制御
• 光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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• シリコン上1.3μm量子ドットレーザ--光LSI融合システム構築に向けて
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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• MEMS-フォトニック結晶機能素子の作製方法
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• グリーンICT社会に向けたフォトニックデバイス : 量子,ナノ,光の融合(エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
• 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
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• 高コンダクタンスC_薄膜トランジスタ(センサー,デバイス,一般)
• 有機トランジスタの低電圧動作・高性能化とCMOS応用
• 有機薄膜トランジスタの低電圧動作と閾値電圧
• パリレン薄膜による超薄型有機ELデバイス
• ユビキタス情報化社会の実現に向けたナノテクノロジーの展望
• CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
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• 低次元量子構造作製技術とデバイス応用の現状と展望 : 量子ドットを中心にして
• 25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• ファジィ論理を用いた非線形画像処理
• 情報通信分野におけるナノテクノロジーの展望 (特集 新世代の情報通信技術)
• 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
• C-4-1 ウェハ融着によるSi基板上1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 量子ドット太陽電池研究の展開
• レーザー学会産業賞を受賞して : 通信用半導体量子ドットレーザー
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用
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• 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用
• 量子ドットレーザの発展 : 提案から市場化までの30年(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 量子ドットレーザの発展 : 提案から市場化までの30年(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 量子ドットレーザの発展 : 提案から市場化までの30年

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