MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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量子ドットは近年その大きな歪効果・量子効果を利用することによるバンド構造エンジニアリング的観点からGaAs基板上で光通信用波長帯1.3或いは1.55μmのレーザ発振を実現させるためのアプローチとして注目を集めている。既に多くのグループがMBE法での室温連続発振を達成しているが、MOCVD法での報告は非常に少なく、デバイス性能もMBE法と比べて劣る。実用化・材料の自由度及び選択成長等を用いた新機能光デバイスヘの応用を考えると、MOCVD法での量子ドットレーザ実現・高性能化は非常に重要である。本論文ではMOCVD法による長波長帯InAs量子ドットの結晶成長技術に加え、量子ドットレーザの現状・問題点及び今後の展望についても議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-26
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
-
石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
館林 潤
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
羽鳥 伸明
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
江部 広治
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
須藤 久男
富士通研究所
-
倉又 朗人
富士通研究所
-
菅原 充
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
-
須藤 久男
(株)富士通研究所
-
館林 潤
東京大学生産技術研究所
-
倉又 朗人
株式会社富士通研究所
-
羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
羽鳥 伸明
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
-
羽鳥 伸明
富士通研究所
-
羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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