荒川 泰彦 | フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

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概要

• 同名の論文著者
• フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所の論文著者

関連著者

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 中村 隆宏

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 賣野 豊

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 西 研一

  株式会社qdレーザ

• 森 雅彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 中村 隆宏

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 藤方 潤一

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 賣野 豊

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 和田 修

  神戸大院工

• 喜多 隆

  神戸大院工

• 前多 泰成

  (株)QDレーザ

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 江部 広治

  東京大学NCRC IIS

• 荒川 泰彦

  東京大学NCRC IIS

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 前多 泰成

  株式会社QDレーザ

• 羽鳥 伸明

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 清水 隆徳

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 影山 健夫

  (株)QDレーザ

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 清水 隆徳

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 影山 健生

  株式会社qdレーザ

• 武政 敬三

  株式会社QDレーザ

• 影山 健生

  (株)QDレーザ

• 武政 敬三

  (株)QDレーザ

• 喜多 隆

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 和田 修

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 喜多 隆

  神戸大学大学院工学研究科

• 田村 暢啓

  神戸大学大学院 自然科学研究科

• ZHANG YUANCHANG

  神戸大学大学院 自然科学研究科

• 中田 義昭

  東京大学NCRC IIS

• 菅原 充

  富士通研究所

• 秋山 知之

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 田村 暢啓

  神戸大学大学院自然科学研究科

• Zhang Yuanchang

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 和田 修

  神戸大学大学院 工学研究科 電気電子工学専攻

• 岡本 大典

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 岡野 誠

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:産業技術総合研究所

• 持田 励雄

  株式会社QDレーザ

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 持田 励雄

  (株)QDレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大坪 孝二

  富士通研:富士通:光産業技術振興協会

• 賣野 豊

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 岡野 誠

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 羽鳥 伸明

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 近藤 勇人

  株式会社QDレーザ

• 近藤 勇人

  (株)QDレーザ

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 荒川 泰彦

  独立行政法人日本学術振興会学術研究システムセンター:東京大学生産技術研究所

• 石田 充

  東京大学生産技術研究所

• 江部 広治

  東京大学生産技術研究所

• 江部 広治

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 中田 義昭

  富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所

• 秋山 知之

  富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 清水 隆徳

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所

• 大坪 孝二

  (財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  (財)光産業技術振興協会

• 中田 義昭

  東京大学生産技術研究所

• 菅原 充

  (財)光産業技術振興協会

• 羽鳥 伸明

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 菅原 充

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 山田 浩治

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 田中 宏和

  神戸大学自然科学研究科

• PACHAMUTHU Jayavel

  神戸大学自然科学研究科

• 内上 昌裕

  神戸大学自然科学研究科

• 喜多 隆

  神戸大学自然科学研究科

• 和田 修

  神戸大学自然科学研究科

• 菅原 充

  東京大学NCRC IIS

• 臼杵 達哉

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:富士通研究所

• 森 雅彦

  産業技術総合研究所 光技術研究部門

• 山田 浩治

  Nttマイクロシステム研

• 臼杵 達哉

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所

• 井出 聡

  富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 安岡 奈美

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 野口 将高

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 野口 将高

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 三浦 真

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 河合 正昭

  富士通株式会社

• 浅見 徹

  Kddi研究所

• 浅見 徹

  東京大学大学院情報理工学系研究科

• 浅見 徹

  株式会社kdd研究所

• 浅見 徹

  株式会社kddi研究所

• 土澤 泰

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 渡辺 俊文

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 尾中 寛

  (株)富士通研究所

• 並木 周

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所:(現)(独)産業技術総合研究所光技術研究部門

• 井出 聡

  (株)富士通研究所

• 斉藤 恵美子

  日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所:(財)光産業技術振興協会

• 秋山 傑

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 小山田 公之

  NHK

• 富沢 将人

  日本電信電話株式会社未来ねっと研究所:(財)光産業技術振興協会

• 小山田 公之

  日本放送協会

• 赤川 武志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 田中 有

  技術研究組合 フェムト秒テクノロジー研究機構

• 山端 徹次

  (株)富士通研究所

• 森 和行

  (株)富士通研究所

• 河合 正昭

  (株)富士通研究所

• 石田 充

  東京大学 生産技術研究所

• 館林 潤

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 須藤 久男

  富士通研究所

• 倉又 朗人

  富士通研究所

• 羽島 伸明

  東京大学生産研

• 秋山 知之

  富士通研

• 大坪 孝二

  富士通研

• 中田 義昭

  富士通研

• 菅原 充

  東京大学生産研

• 石川 浩

  産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター

• 河合 正昭

  株式会社富士通研究所:富士通株式会社

• 森 和行

  富士通

• 森 和行

  富士通(株)

• 板橋 聖一

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 黒須 隆行

  (独)産業技術総合研究所

• 小山田 公之

  日本放送協会放送技術研究所

• 小山田 公之

  Nhk放送技術研究所ネットワークシステム

• 小山田 公之

  日本放送協会 放送技術研究所 システム

• 尾中 寛

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通株式会社

• 河口 研一

  富士通(株)

• 江川 満

  富士通(株)

• 秋山 知之

  富士通(株)

• 植竹 理人

  富士通(株)

• 安岡 奈美

  富士通(株)

• 菅原 充

  富士通(株)

• 秋山 知之

  富士通株式会社

• 中田 義昭

  富士通株式会社

• 大坪 孝二

  富士通株式会社

• 並木 周

  産業技術総合研究所

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 奥村 滋一

  (株)富士通研究所

• 須藤 久男

  (株)富士通研究所

• 土澤 泰

  Nttマイクロシステム研

• 石川 浩

  (独)産業技術総合研究所・ネットワークフォトニクス研究センター

• 富澤 将人

  日本電信電話(株)未来ねっと研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 館林 潤

  東京大学生産技術研究所

• 倉又 朗人

  株式会社富士通研究所

• 黒須 隆行

  産業技術総合研究所

• 尾中 寛

  株式会社富士通研究所:(財)光産業技術振興協会

• 岡山 秀彰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 高橋 博之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 秋山 傑

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 馬場 威

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 臼杵 達哉

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 小山田 公之

  Nhk放送技術研究所 デジタルネットワーク

• 馬場 威

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所

• 堀川 剛

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:産業技術総合研究所

• 岡山 秀彰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:沖電気工業(株)研究開発センタ

• 尾中 寛

  富士通株式会社

• 河口 研一

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 羽島 伸明

  東京大学生産研:東京大学ナノエレ連携研センタ

• 高橋 重樹

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 光・電子理工学教育研究センター

• 八重樫 浩樹

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:沖電気工業(株)研究開発センタ

• 石川 浩

  産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ

• 賣野 豊

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 高橋 重樹

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 赤川 武志

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 中村 隆宏

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology (PECST)

• 高橋 重樹

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 志村 大輔

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 土澤 泰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 渡辺 俊文

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 山田 浩治

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 板橋 聖一

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 斉藤 恵美子

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 森 雅彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:産業技術総合研究所

• 三浦 真

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 志村 大輔

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 岡山 秀彰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 八重樫 浩樹

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

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著作論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
• MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(量子ドットの使い道)
• 量子ドット光増幅器と光スイッチ
• NETs連載講座 光デバイス 次代の光ネットを担う量子ドット・レーザと光増幅器(下)
• 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• CI-3-5 光デバイスファウンドリーの現状と展望(CI-3.半導体製造技術の現状と今後の展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• CI-1-3 光配線応用に向けた光電子融合システム(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
• C-3-63 光電子集積回路に向けたGe受光器用TIA回路の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-47 Projection MOS構造を有するSi光変調器の解析(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-34 光電子集積回路に向けたGe受光器用TIA回路の検討II(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-26 コラムナ量子ドット半導体光増幅器アレイの高温・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CI-3-3 高密度光配線用シリコン光集積回路(CI-3.通信システム・光配線システム応用にむけた高密度集積フォトニックプラットフォーム,依頼シンポジウム)
• チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 次世代超高精細映像に向けた超高速LAN-SANシステム化技術とその要素技術開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,インターネットと環境・エコロジー,一般)
• C-3-37 光電子集積回路に向けたGe受光器用TIA回路の検討III(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 光電子融合システムに向けた高速・高密度シリコンフォトニクスデバイスの動向(MWP研究への期待と将来展望,一般)
• レーザー学会産業賞を受賞して : 通信用半導体量子ドットレーザー
• トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源
• C-3-64 Si導波路集積PIN型およびショットキー型Ge受光器の検討(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 光電子融合システムに向けた高速・高密度シリコンフォトニクスデバイスの動向
• C-3-61 シリコンフォトニクス集積回路用多チャンネル光源(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• C-4-8 トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• シリコンフォトニクスを用いた高密度チップ間インターコネクト
• チップ間光インターコネクトに向けたSi基板上ハイブリッド集積光源の低消費電力動作実証(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• チップ間光インターコネクトに向けたSi基板上ハイブリッド集積光源の低消費電力動作実証(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• チップ間光インターコネクトに向けたSi基板上ハイブリッド集積光源の低消費電力動作実証(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• チップ間光インターコネクトに向けたSi基板上ハイブリッド集積光源の低消費電力動作実証(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源
• CI-2-2 チップ間光配線に向けたシリコンナノフォトニックデバイス集積技術(CI-2.マイクロ・ナノフォトニクス集積および実装技術とその展開,ソサイエティ企画)
• C-3-81 量子ドットレーザ搭載によるシリコン光インターポーザの高温リンク実証(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-80 量子ドットアレイレーザを実装したSi基板上ハイブリッド集積光源(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-71 大容量チップ間光インターコネクション向けハイブリッド集積光源の1200チャンネル動作(光周波数・位相制御,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

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