荒川 泰彦 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
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岩本 敏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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岩本 敏
東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東大生研
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Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
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Arakawa Yasuhiko
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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野村 政宏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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勝山 俊夫
(株)日立製作所・中央研究所
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細見 和彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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勝山 俊夫
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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勝山 俊夫
日立 中研
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ncrc
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細見 和彦
東京大学生産技術研究所ncrc:(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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荒川 泰彦
東大
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山田 宏治
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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深町 俊彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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山田 宏治
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会
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荒川 泰彦
東京大学 生産技術研究所
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深町 俊彦
(株)日立製作所 中央研究所
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田辺 克明
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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深町 俊彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所
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熊谷 直人
東大ナノ量子機構
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Guimard Denis
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所
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渡邉 克之
東大ナノ量子機構
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熊谷 直人
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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太田 泰友
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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GUIMARD Denis
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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BORDEL Damien
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所
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Bordel Damien
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所
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加古 敏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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渡邉 克之
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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佐川 みすず
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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有田 宗貴
東京大学先端科学技術研究センター
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佐川 みすず
(株)日立製作所中央研究所
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佐川 みすず
東京大学生産技術研究所ncrc:(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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石田 充
東京大学生産技術研究所
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江部 広治
東京大学生産技術研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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関根 徳彦
情報通信研究機構
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石田 悟己
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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臼杵 達哉
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:富士通研究所
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戸田 泰則
北海道大学 大学院工:科学技術振興機構
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関根 徳彦
東京大学生産技術研究所
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十川 文博
東京大学生産技術研究所
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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平川 一彦
東京大
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臼杵 達哉
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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有田 宗貴
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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崔 〓鉉
東京大学生産技術研究所
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臼杵 達哉
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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菅原 俊樹
(株)日立製作所中央研究所
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中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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五神 真
東大工
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鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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小西 邦昭
東大工
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野村 政宏
東大ナノ量子機構
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岩本 敏
東大ナノ量子機構
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五島 滋雄
東京大学生産技術研究所NCRC
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
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五明 明子
日本電気
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所
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大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
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中田 義昭
東京大学生産技術研究所
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菅原 充
(財)光産業技術振興協会
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平川 一彦
東京大学生産技術研究所
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五神 真
東大工:crest(jst):東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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菅原 俊樹
(株)日立製作所 中央研究所
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菅原 俊樹
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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野村 政宏
東京大学生産技術研究所
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タンデーシーヌラット アニワット
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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ギマード デュニ
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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岩本 敏
東京大学 先端科学技術研究センター
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中岡 俊裕
東京大学生産技術研究所
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岩本 敏
東京大学先端科学技術研究センター
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北村 雅季
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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戸田 泰則
東京大学生産技術研究所
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北村 雅季
東京大学生産技術研究所
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小西 邦昭
東大工:crest(jst)
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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臼杵 達哉
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
菅原 充
(株)QDレーザ
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羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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五島 滋雄
東京大学生産技術研究所ncrc:(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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佐川 みすず
日立 中研
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羽鳥 伸明
富士通研究所
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羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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福田 武司
埼玉大学大学院 理工学研究科
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村越 尚輝
埼玉大学大学院理工学研究科
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イスラム トウヒドル
埼玉大学大学院理工学研究科
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岩本 敏
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山田 博仁
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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福田 武司
埼玉大学大学院理工学研究科
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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馬場 俊彦
横浜国立大学電子情報工学科
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赤松 正二
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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赤松 正二
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会
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牛田 淳
NEC基礎・環境研
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羽島 伸明
東京大学生産研
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秋山 知之
富士通研
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大坪 孝二
富士通研
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中田 義昭
富士通研
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菅原 充
東京大学生産研
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荒川 太郎
東京大学生産技術研究所
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大津 元一
東京工業大学
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山本 倫久
東大物工
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中田 義昭
富士通研究所
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秋山 知之
富士通研究所
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秋山 知之
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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永宗 靖
東京大学生産技術研究所
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五明 明子
日本電気株式会社
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五明 明子
NEC基礎研
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熊谷 直人
東京大学生産技術研究所
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若山 雄貴
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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臼杵 達哉
東京大学 生産技術研究所
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加古 敏
東京大学 生産技術研究所
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井手 利英
横浜国立大学工学研究院
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館林 潤
東京大学生産技術研究所
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儲 涛
Nec基礎・環境研究所:(財)光産業技術振興協会
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牛田 淳
Nec基礎・環境研究所:(財)光産業技術振興協会
-
鎌田 憲彦
埼玉大工
-
鎌田 憲彦
埼玉大 工
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篠森 重樹
東京大学生産技術研究所
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馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
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五十嵐 悠一
東大理
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中川 一彦
東京大学生産技術研究所
-
石田 悟己
東京大学生産技術研究所,先端科学技術研究センター,ナノエレクトロニクス連携研究センター
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五明 明子
MIRAI-Selete
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馬場 俊彦
横浜国立大学
-
五十嵐 悠一
東京大学理学系研究科
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渡邉 克之
東京大学生産技術研究所
-
山本 倫久
東京大学工学系研究科
-
大岩 顕
東京大学工学系研究科
-
樽茶 清悟
東京大学工学系研究科
-
大岩 顕
東大工:icorp-jst:jst-crest
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
馬場 俊彦
横浜国大 大学院工学府
-
山田 博仁
東北大学大学院工学研究科
-
中山 創
東京大学生産技術研究所
-
馬場 俊彦
横国大院工
-
Kamata Norihiko
Atr Optical And Radio Communications Research Laboratories
-
羽島 伸明
東京大学生産研:東京大学ナノエレ連携研センタ
-
福田 武司
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
-
馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
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藤方 潤一
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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野口 将高
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
五明 明子
Nec基礎・環境研究所
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三浦 真
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
-
藤方 潤一
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
戸田 泰則
北海道大学
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堀川 剛
産業技術総合研究所
-
五明 明子
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
井手 利英
横浜国立大学 工学研究院
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター/ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/生産技術研究所・情報・エレクトロニクス系部門
-
岩本 敏
東京大学先端科学技術研究センター/ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/生産技術研究所・情報・エレクトロニクス系部門
-
三浦 真
光電子融合基盤技術研究所
-
藤方 潤一
光電子融合基盤技術研究所
-
野口 将高
光電子融合基盤技術研究所
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岡本 大典
光電子融合基盤技術研究所
著作論文
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-1-9 フォトニック結晶の分散制御と光素子への応用
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ
- 1.3μm帯フォトニック結晶ナノ共振器レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第21回)フォトニック結晶ナノ共振器を利用した光と物質の相互作用制御
- 光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- FDTD法のフォトニック結晶研究への応用
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- 半導体量子ドットを用いた単一光子発生技術の展開
- InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SC-1-2 フォトニック結晶の新しい展開 : 量子ドット・MEMS との融合
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 近接場光学顕微鏡による量子ナノ構造の極微小領域光物性の観測
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 通信用フォトニック結晶デバイスと光集積回路(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 走査型近接場光学顕微鏡による半導体量子ナノ構造の物性計測
- 26p-YC-6 磁場中の単一量子ドット分光
- Stranski-Krastanov成長モードによる量子ドットの自然形成
- 200Kにて動作する量子ドット単一光子源
- フォトニック結晶ナノ共振器によるシリコンの発光増強
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 半導体ナノ構造の形成技術とそのナノメートルスケール光物性
- 半導体レ-ザ-の新しい展開-ナノ構造と微小共振器を有するレ-ザ--
- 量子箱レーザの特性 : ボトルネックの問題は越えられるか
- 半導体ナノ構造の作製技術と量子化デバイスへの展開 ( ミクロを創る 2.半導体-3)
- 量子ナノ構造を有する半導体レーザー
- 電子と光子の完全制御を目指した次世代デバイス
- 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
- InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
- InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価