大坪 孝二 | (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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概要
関連著者
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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松田 学
株式会社富士通研究所
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松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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(株)富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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(株)富士通研究所
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(株)富士通研究所
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株式会社富士通研究所
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東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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植竹 理人
富士通研究所
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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フェムト秒テクノロジー研究機構
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東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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石田 充
東京大学生産技術研究所
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大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
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江部 広治
東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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大坪 孝二
RWCP光インターコネクション富士通研究室
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石川 浩
RWCP光インターコネクション富士通研究室
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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羽鳥 伸明
富士通研究所
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羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所
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中田 義昭
東京大学生産技術研究所
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菅原 充
(財)光産業技術振興協会
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秋山 知之
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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西嶋 由人
(株)富士通研究所
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大坪 孝二
(株)富士通研究所
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松田 学
(株)富士通研究所
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小路 元
(株) 富士通研究所
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菅原 充
(株)QDレーザ
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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植竹 理人
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松田 学
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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山本 剛之
(株)QDレーザ
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山本 剛之
技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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苫米地 秀一
(株)富士通研究所
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井出 聡
(株)富士通研究所
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倉又 朗人
(株)富士通研究所
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東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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菅原 充
(株)富士通研究所
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森 和行
(株)富士通研究所
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羽鳥 伸明
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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江部 広治
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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菅原 充
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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羽島 伸明
東京大学生産研
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秋山 知之
富士通研
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大坪 孝二
富士通研
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中田 義昭
富士通研
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菅原 充
東京大学生産研
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高田 幹
株式会社富士通研究所
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内田 徹
Rwcp光インターコネクション富士通研究室
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森 和行
富士通(株)
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中田 義昭
富士通研究所
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高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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関根 徳彦
(独)情報通信研究機構
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秋山 知之
富士通株式会社
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中田 義昭
富士通株式会社
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大坪 孝二
富士通株式会社
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秋山 知之
富士通研究所
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関根 徳彦
情報通信研究機構
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関根 徳彦
Rwcp光インターコネクション富士通研究室
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青木 修
(株)富士通研究所
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高田 幹
(株)富士通研究所
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田中 宏昌
富士通(株)
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倉又 朗人
株式会社富士通研究所
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西嶋 由人
(株) 富士通研究所
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植竹 理人
(財)光産業技術振興協会
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松田 学
(財)光産業技術振興協会
-
江川 満
(財)光産業技術振興協会
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小路 元
RWCP光富士通研究所((株)富士通研究所厚木研究所内)
-
松田 学
RWCP光富士通研究所((株)富士通研究所厚木研究所内)
-
井出 聡
富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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羽島 伸明
東京大学生産研:東京大学ナノエレ連携研センタ
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石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
著作論文
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
- 量子ドット光増幅器と光スイッチ
- InGaAs3元基板上低しきい値1.3μmレーザ
- 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- InGaAs3元基板を用いた1.3μm帯歪量子井戸レーザ
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 奨励講演 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3μm帯面発光レーザの特性解析 : InGaAs3元基板の検討
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)