松田 学 | (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

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概要

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関連著者

• 松田 学

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 松田 学

  株式会社富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 奥村 滋一

  (株)富士通研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 植竹 理人

  株式会社富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  富士通研究所

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大坪 孝二

  富士通研:富士通:光産業技術振興協会

• 江川 満

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• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 植竹 理人

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• 下山 峰史

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• 下山 峰史

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• 下山 峰史

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• 高田 幹

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• 高田 幹

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• 大坪 孝二

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  (株)富士通研究所

• 大坪 孝二

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 苫米地 秀一

  (株)富士通研究所

• 井出 聡

  (株)富士通研究所

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  (株)富士通研究所

• 森 和行

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  RWCP光インターコネクション富士通研究室

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  (財)光産業技術振興協会

• 松田 学

  (財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  (財)光産業技術振興協会

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  RWCP光富士通研究所((株)富士通研究所厚木研究所内)

• 松田 学

  RWCP光富士通研究所((株)富士通研究所厚木研究所内)

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• 秋山 傑

  富士通研究所

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著作論文

• 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 1.3μm帯面発光レーザの特性解析 : InGaAs3元基板の検討
• C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調 (レーザ・量子エレクトロニクス)

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