山本 剛之 | (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

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概要

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• 山本 剛之

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  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 秋山 傑

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

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• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 田中 有

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• 田中 有

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• 山口 正臣

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• 菅原 充

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• 松本 武

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• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 江川 満

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• 奥村 滋一

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 植竹 理人

  株式会社富士通研究所

• 渡辺 孝幸

  (株)富士通研究所

• 小林 正宏

  株式会社富士通研究所

• 山本 剛之

  株式会社富士通研究所

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 松田 学

  株式会社富士通研究所

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

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  株式会社富士通研究所

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 関口 茂昭

  株式会社富士通研究所

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• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 荻田 省一

  株式会社富士通研究所

• 荻田 省一

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  富士通研究所

• 倉又 朗人

  株式会社富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 羽鳥 伸明

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 松田 学

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 廣瀬 真一

  (株)富士通研究所

• 倉又 朗人

  (株)富士通研究所

• 小林 宏彦

  (株)富士通研究所

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 竹内 辰也

  株式会社富士通研究所

• 竹内 辰也

  (株)富士通研究所

• 小林 正宏

  (株)富士通研究所

• 清水 隆徳

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 臼杵 達哉

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:富士通研究所

• 賣野 豊

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 影山 健夫

  (株)QDレーザ

• 中村 隆宏

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 雙田 晴久

  (株)富士通研究所

• 下山 峰史

  (株)富士通研究所

• 下山 峰史

  株式会社富士通研究所

• 馬場 威

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所

• 臼杵 達哉

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所

• 植竹 理人

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 松田 学

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 江川 満

  株式会社富士通研究所

• 東 敏生

  富士通研究所

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大坪 孝二

  富士通研:富士通:光産業技術振興協会

• 倉橋 輝雄

  (株)富士通研究所

• 下山 峰史

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 上田 誠

  (株)富士通研究所

• 伊藤 浩明

  (株)富士通研究所

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 藤井 卓也

  株式会社富士通研究所

• 石川 務

  (株)富士通研究所

• 渡辺 孝幸

  富士通(株)

• 藤井 卓也

  (株)富士通研究所

• 石川 務

  住友電工デバイス・イノベーション(株)

• 藤井 卓也

  住友電工デバイス・イノベーション(株)

• Schubert C.

  Heinrich-Hertz-Institute (HHI)

• Schmidt C.

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH,

• 中田 義昭

  株式会社富士通研究所

• 秋山 傑

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 馬場 威

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 臼杵 達哉

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 河口 研一

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• Feiste U

  Heinch‐hertz‐inst. Nachrichtentechnik Berlin Gmbh Berlin Deu

• Feiste U

  Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh:(present Address)com Technical University

• Feiste U

  Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh : (present Address) Com Technical Univers

• Feiste U.

  Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh:(present Address)com Technical University

• 下山 峰史

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 岡野 誠

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 苫米地 秀一

  (株)富士通研究所

• 田中 一弘

  富士通株式会社

• 田中 一弘

  株式会社富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 山本 剛之

  富士通研究所ナノテクノロジー研究センター

• 山本 毅

  株式会社富士通研究所

• Ludwig Reinhold

  Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz-institut

• 山本 毅

  (株)富士通研究所

• 山本 毅

  ジャトコ株式会社

• 藤井 卓也

  ユーディナデバイス株式会社

• 山田 浩治

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 東 敏生

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• Schubert C

  Heinrich‐hertz‐inst. Berlin Deu

• Dietrich E.

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH,

• 松田 学

  (株)富士通研究所

• 矢野 光博

  株式会社富士通研究所

• 秋山 傑

  株式会社 富士通研究所

• 山本 剛之

  株式会社 富士通研究所

• 森 雅彦

  産業技術総合研究所 光技術研究部門

• Weber H.g

  Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh

• Schubert Colja

  Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz-institut

• Schmidt C

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH

• Feiste U

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH

• Oxenlowe L.K

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH

• Berger J

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH

• Ludwig R

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH

• Dietrich E

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH

• 大坪 孝二

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• Oxenlowe L.k

  Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh:(present Address)tycom Laboratories Usa

• Oxenlowe L.k

  Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh :(present Address) Tycom Laboratories

• 藤方 潤一

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 野口 将高

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 清水 隆徳

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 土澤 泰

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 渡辺 俊文

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 鄭 錫換

  富士通株式会社

• 田中 有

  富士通研究所

• 斉藤 恵美子

  日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所:(財)光産業技術振興協会

• 雙田 晴久

  富士通研究所

• 森戸 健

  (株)富士通研究所

• 赤川 武志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 大坪 孝二

  (財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  (財)光産業技術振興協会

• 森戸 健

  株式会社富士通研究所

• 森戸 健

  財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部

• 三浦 和則

  株式会社富士通研究所

• 石川 務

  株式会社富士通研究所

• 渡辺 孝幸

  富士通株式会社

• 三浦 和則

  富士通株式会社

• 板橋 聖一

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• Ludwig R.

  Heinrich-Hertz-Institute (HHI)

• Ludwig R.

  ハインリッヒヘルツ研究所

• Schubert C.

  ハインリッヒヘルツ研究所

• Schmidt C.

  ハインリッヒヘルツ研究所

• Weber H.G.

  ハインリッヒヘルツ研究所

• 田中 信介

  (株)富士通研究所

• 鄭 錫煥

  富士通株式会社

• Ludwig R.

  Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz-institute (hhi)

• 高林 和雅

  (株)富士通研究所

• 早川 明憲

  (株)富士通研究所

• 須藤 久男

  (株)富士通研究所

• 鄭 錫煥

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 川戸 栄

  福井大学大学院工学研究科

• 土澤 泰

  Nttマイクロシステム研

• 川戸 栄

  福井大

• Berger J.

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH,

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所

• 佐々木 誠美

  富士通株式会社

• 佐々木 誠美

  株式会社富士通研究所

• 寺田 浩二

  株式会社富士通研究所

• 矢野 光博

  株式会社 富士通研究所

• 秋山 傑

  株式会社富士通研究所

• 関口 茂昭

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 森戸 健

  富士通研究所

• 高林 和雄

  (株)富士通研究所

• 岡山 秀彰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 植竹 理人

  (財)光産業技術振興協会

• 松田 学

  (財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  (財)光産業技術振興協会

• Weber H.

  Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz-institute (hhi)

• Weber H.g.

  Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh

• 山田 浩治

  Nttマイクロシステム研

• 関口 茂昭

  富士通研究所

• 田中 信介

  富士通研究所

• 佐々木 誠美

  富士通株式会社基幹通信事業本部

• Feiste U.

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH

• Oxenlowe L.K.

  Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH

• 寺田 浩二

  富士通株式会社

• 森戸 健

  富士通研

• 臼杵 達哉

  富士通研究所

• 岡山 秀彰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:沖電気工業(株)研究開発センタ

• 東 敏生

  株式会社富士通研究所

• Schuber C.

  Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz Institute(hhi)

• Oxenlowe L.k.

  Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh:(present Address)tycom Laboratories

• 荒川 泰彦

  Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo

• 岡本 大典

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 賣野 豊

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 野口 将高

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 赤川 武志

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 中村 隆宏

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology (PECST)

• 秋山 傑

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 馬場 威

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 臼杵 達哉

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 石坂 政茂

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 三浦 真

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 志村 大輔

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

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著作論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
• テーパ導波路FBHレーザの電極長の理論検討
• 量子井戸FPレーザにおける発振波長の温度依存性
• 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
• 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザの低しきい値化の検討
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• レーザー
• CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
• CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
• C-4-24 InP系マッハツェンダ変調器における駆動電圧(2V_)一定の低チャープ10Gb/s広波長帯域(30nm)動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
• 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
• マーカによるPLCプラットフォームへのLD無調芯実装
• InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
• 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
• CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
• SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
• SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
• 1.3μm帯InGaAsP/InP量子井戸レーザにおける利得の温度依存性
• テーパ導波路レーザの導波路光結合特性
• テーパ導波路FBHレーザとシングルモードファイバとの結合特性
• 量子井戸FPレーザにおける発振波長の温度依存性
• テーパ導波路FBHレーザの変調特性
• C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-61 シリコンフォトニクス集積回路用多チャンネル光源(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)

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