InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InP系マッハツェンダ変調器はコンパクトかつチャーピング制御可能という利点を有しているため、高速光通信用変調器として有望である。しかしながら、20GHz以上の広帯域化が可能な電極構造が確立していないため、これまでに報告されている動作は10Gb/sまでのものが多い。これに対して我々は、PIN層構造の変調器を光軸に沿って細かく分断し、間に電気容量の小さい領域を挟んで連結する事で50Ωへのインピーダンスマッチングが可能となる進行波電極構造を新たに提案し、InP系マッハツェンダ変調器の高速化を検討している。本報告では、我々が提案する電極構造について説明し、実際にこのような電極構造を有するマッハツェンダ変調器を作製、評価した結果について述べる。電極のS_<11>反射特性の評価から、我々の提案する電極においては50Ωへのインピーダンスマッチングが得られている事を確認し、その結果、光変調の小信号応答特性において変調帯域の増大が得られた。これにより40Gb/sにおいて良好なアイの開口が観察された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-08
著者
-
関口 茂昭
株式会社富士通研究所
-
上田 誠
(株)富士通研究所
-
秋山 傑
(株)富士通研究所
-
廣瀬 真一
(株)富士通研究所
-
渡辺 孝幸
(株)富士通研究所
-
関口 茂昭
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
倉又 朗人
(株)富士通研究所
-
雙田 晴久
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
倉又 朗人
株式会社富士通研究所
-
秋山 傑
富士通研究所
関連論文
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- テーパ導波路FBHレーザの電極長の理論検討
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザの低しきい値化の検討
- 光時分割多重を用いたスーパーハイビジョン映像の伝送(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 量子ドット光デバイス (特集 研究開発最前線)
- C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- InGaAs3元基板上低しきい値1.3μmレーザ
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- レーザー
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- C-4-24 InP系マッハツェンダ変調器における駆動電圧(2V_)一定の低チャープ10Gb/s広波長帯域(30nm)動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- マーカによるPLCプラットフォームへのLD無調芯実装
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
- B-10-33 長距離伝送を考慮したTDA-DFBレーザの高速波長チューニング(B-10.光通信システムA(線路),一般講演)
- C-4-17 EA変調器集積TDA-DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- SiC基板上の連続動作InGaNレーザー
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- 1.3μm帯InGaAsP/InP量子井戸レーザにおける利得の温度依存性
- B-10-41 XFPモジュール搭載TDA-EMLの性能評価(B-10.光通信システムA(線路),一般講演)
- テーパ導波路FBHレーザとシングルモードファイバとの結合特性
- テーパ導波路FBHレーザの変調特性
- 多波長スペクトルスライス光源のための高出力SLDの特性解析と試作
- CI-3-2 低電力・高速動作SiGe細線導波路光スイッチ(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- スーパーハイビジョン映像の172Gbps-光時分割多重伝送実演(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 無線通信基地局向け高出力増幅器へのシリコンマイクロチャネル冷却技術の応用(電子デバイスの高速・高密度実装とインテグレーション技術論文)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 無線通信基地局向け高出力増幅器へのシリコンマイクロチャネル冷却技術の応用
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-36 シリコンフォトニクス集積に向けたCMOS技術(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-40 側面格子型Si光変調器の等価回路解析(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 4-4 光ファイバ通信用直接変調レーザの高速化(4.光デバイスの最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-58 リング装荷遅延干渉計を用いたSi細線型波長合分波器(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-65 リング共振器装荷型光変調器を集積したシリコンフォトニクス送信部の波長無調整10Gb/s動作(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-61 シリコンフォトニクス集積回路用多チャンネル光源(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-5-5 シリコン光変調器の開発(CI-5.光変調デバイスと材料技術の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-2 波長1.3μm帯AIGalnAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-18 全ての光コンポーネントを単一シリコン基板上に集積したシリコン光インターポーザの30Tbps/cm2動作実証(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコンCWDM光送信器に向けた4波長シリコンハイブリッドレーザアレイ(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- シリコンCWDM光送信器に向けた4波長シリコンハイブリッドレーザアレイ(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 光ファイバ通信用直接変調レーザの高速化