C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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概要
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- 2011-08-30
著者
-
植竹 理人
株式会社富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
江川 満
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
植竹 理人
(株)富士通研究所
-
下山 峰史
(株)富士通研究所
-
奥村 滋一
(株)富士通研究所
-
植竹 理人
富士通研究所
-
下山 峰史
株式会社富士通研究所
-
松田 学
株式会社富士通研究所
-
山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
植竹 理人
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
松田 学
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)QDレーザ
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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