C-4-21 高出力8:1ch集積型SOAゲートスイッチアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-09-02

著者

• 苫米地 秀一

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  株式会社富士通研究所

• 田中 信介

  富士通株式会社

• 鄭 錫換

  富士通株式会社

• 森戸 健

  富士通株式会社

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部

• 田中 信介

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 山崎 進

  (株)富士通研究所

• 鄭 錫煥

  富士通株式会社

• 鄭 錫煥

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 植竹 理人

  富士通研究所

• 山崎 進

  富士通株式会社

• 植竹 理人

  富士通株式会社

関連論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 半導体光増幅器を用いる波長多重光パケットインタコネクトシステム(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• テーパ導波路FBHレーザ
• テーパ導波路FBHレーザの電極長の理論検討
• 10Gb/s用MQW構造変調器集積化DFBレーザ
• 新構造10Gb/s用変調器集積化DFBレーザ : 歪補償MQWとグレーディドSCH導入によるホール蓄積の低減
• AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
• C-4-8 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域 (132nm) 波長可変レーザ
• C-3-74 AOTFを用いた波長可変リングレーザ
• テーパ導波路FBHレーザの戻り光雑音特性
• C-4-13 高い飽和光出力を持つ1.55μm帯偏波無依存型半導体光増幅器における10Gb/s変調光増幅特性
• 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
• MOVPE選択成長の原理と定量的解析
• 交互供給MOVPE法によるInGaAs自己形成量子ドットの成長(ヘテロエピタキシーと界面構造制御)
• 結晶成長技術
• 光時分割多重を用いたスーパーハイビジョン映像の伝送(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 超高速光LAN-SANシステム化技術の目標と現状(省エネルギーと超高速インターネット-システム,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
• BS-10-5 超高精細映像時代に向けた光LAN要素技術開発(BS-10.光スイッチング・光インターコネクション・光LAN技術〜ラック間・ボード間・チップ間光ネットワークへ〜,シンポジウムセッション)
• 広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(量子ドットの使い道)
• ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御
• 8入力1出力の集積SOAを用いた超小型光スイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-6-6 半導体導波路型90°ハイブリッド(CS-6.コヒーレント通信用光デバイスの進展,シンポジウムセッション)
• TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
• AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
• AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-38 広波長帯域(〜94nm)新型90°ハイブリッド(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
• 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
• 低駆動電圧10Gb/s用変調器集積化DFBレーザ
• 変調器集積化DFBレーザを用いた10Gb/s SMF伝送特性の検討
• 低駆動電圧変調器集積化DFBレーザによる10Gb/s,100km伝送
• 変調器集積化DFBレーザのブルーチャープ動作による10Gb/s,100Km伝送
• 8入力1出力の集積SOAを用いた超小型光スイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 8入力1出力の集積SOAを用いた超小型光スイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• BS-10-6 集積型SOAゲートスイッチを用いる高速光スイッチシステム(BS-10.光スイッチング・光インターコネクション・光LAN技術〜ラック間・ボード間・チップ間光ネットワークへ〜,シンポジウムセッション)
• C-4-17 EA変調器集積TDA-DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レべル制御(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• C-4-23 ヒータを用いたSOA利得制御による入出力ダイナミックレンジ拡大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-21 高出力8:1ch集積型SOAゲートスイッチアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-17 8:1ch集積型半導体光増幅器ゲートスイッチアレイ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式
• マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 偏波無依存型のアレイアイソレータを内蔵したSOAゲートアレイスイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 偏波無依存型のアレイアイソレータを内蔵したSOAゲートアレイスイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 偏波無依存型のアレイアイソレータを内蔵したSOAゲートアレイスイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-3-51 直線テーパ型MMIカプラを用いた小形90°ハイブリッド(光フロントエンド,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
• 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
• C-4-6 1.3-μm帯AlGaInAs MQW-SOA小型モジュールの低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• Tunable Twin Guide DFBレーザの波長可変特性(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• テーパ導波路FBHレーザとシングルモードファイバとの結合特性
• C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• スーパーハイビジョン映像の172Gbps-光時分割多重伝送実演(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
• 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-6 クーラレス偏波無依存型AlGaInAs SOAモジュールの広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 超高消光比・低クロストーク特性の光アイソレータ内臓4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 超高消光比・低クロストーク特性の光アイソレータ内蔵4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 超高消光比・低クロストーク特性の光アイソレータ内蔵4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-25 小型・低消費電力AlGaInAs MQW-SOAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 全ポート同時に駆動可能な低波長依存性光結合方式を用いた4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 全ポート同時に駆動可能な低波長依存性光結合方式を用いた4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 全ポート同時に駆動可能な低波長依存性光結合方式を用いた4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク