低駆動電圧10Gb/s用変調器集積化DFBレーザ

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概要

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• 電界吸収型光変調器とDFBレーザを集積化した素子は、低チヤープ・小型・高光出力の高速強度変調光源として有用である。10Gb/s以上の超高速システム用としては、駆動電気回路への負担低減及び低消費電力化の観点から駆動電圧の低減化が望まれている。ここでは、電界吸収型光変調器部の変調器長及び吸収係数変化率を増大させることにより、変調器集積化DFBレーザの低駆動電圧化を試みた。その結果、他の特性を劣化させることなく、駆動電圧振幅1V以下で動的消光比10dB以上を得ることができ、また、10Gb/s NRZ信号のSMFl00km伝送に成功した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-07-25

著者

• 小滝 裕二

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  富士通株式会社

• 森戸 健

  (株)富士通研究所

• 佐藤 恵二

  (株)富士通研究所

• 松田 学

  富士通研究所

• 青木 修

  (株)富士通研究所

• 松田 学

  (株)富士通研究所

• 上手 清嗣

  富士通(株)

• 山路 和宏

  富士通(株)

• 山路 和宏

  富士通株式会社

• 松田 学

  株式会社富士通研究所

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