電界吸収型光変調器集積化DFBレーザ
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概要
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電界吸収効果を用いた吸収型半導体光変調器は、電気光学効果を用いた干渉型半導体変調器やガラス系導波路型変調器に比べ、素子長が短い、駆動電圧が低い、シンプルな導波路構造、など多くの利点をもつ。さらに、最も特徴が生きるのは、DFBレーザとの集積が容易である点である。DFBレーザと集積すると、偏波依存性や波長依存性を考慮する必要がなくなり、また、レーザとの結合損が低下することにより高変調光出力が容易に得られる。また、通常のDFBレーザとほぼ同じパッケージに実装でき、光送信機の小型化に寄与できる。このように数多くの利点をもつデバイスであるが、次のようないくつか克服すべき課題がある。(1)変調器端面からレーザへの変調光のわずかな戻りによりレーザの発振波長変動が起こる。(2)光入力強度が大きいため吸収キャリアが大量に発生し、キャリア蓄積が生じ吸収飽和が発生する。(3)レーザ活性層と変調器吸収層では組成など層構造が異なるが、これらの導波路を低損失に結合する必要がある。(4)レーザと変調器間に十分大きな分離抵抗が必要。本発表では、上記課題を考慮して我々が開発してきた光変調器集積DFBレーザ(MIDFBレーザ)について報告する。
- 1996-09-18
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