変調器集積化DFBレーザを用いた10Gb/s SMF伝送特性の検討

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概要

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• 1.55μm電界吸収型変調器集積化DFBレーザ(Modulator integrated DFB laser,MI-DFB-LD)を用いた10Gb/s通常分散ファイバ(SMF)伝送においては,変調器のバイアス電圧を深くするとαパラメータが負の方向に大きくなり,波形圧縮が促進される。今回,消光特性とαパラメータの変調器バイアス電圧依存性の測定結果を取り入れた伝送波形シミュレーションを行い,伝送実験と併せて分散耐力の評価を行ったので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-03-11

著者

• 石川 丈二

  株式会社富士通研究所

• 大井 寛己

  株式会社富士通研究所

• 大井 寛己

  (株)富士通研究所

• 小滝 裕二

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  富士通株式会社

• 森戸 健

  (株)富士通研究所

• 小滝 裕二

  株式会社富士通研究所

• 森戸 健

  株式会社富士通研究所

• 上手 清嗣

  富士通(株)

• 菅田 章彦

  株式会社富士通研究所

• 上手 清嗣

  株式会社富士通研究所

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