変調器集積化DFB-LDとAPDを用いた10Gbit/s 1.3μm零分散ファイバ伝送
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概要
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近年の伝送容量の増大に伴い、10Gbit/s伝送システムの低価格化、小型化が重要になってきている。変調器集積化DFB-LD(Modulator integrated DFB-LD:MI-DFB-LD)は小型で駆動振幅が小さいため、光伝送システムへの適用が検討されている。MI-DFB-LDを用いた1.3μm零分散ファイバ(SMF)伝送では、分散による波形歪みを抑えるために、負チャープ動作が有効であり、変調器バイアスを深くすることが望ましい。ところがバイアスを深くすると、発光側のノイズの増大、消光比の劣化、光出力の低下が起きる。 今回、デバイス構造の最適化を行い、浅いバイアスでの負チャープ特性を実現し、良好な伝送特性を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
秋山 祐一
富士通株式会社
-
秋山 祐一
株式会社富士通研究所
-
小滝 裕二
(株)富士通研究所
-
松田 学
富士通研究所
-
久保田 幹
富士通株式会社
-
中元 洋
株式会社 富士通研究所
-
秋山 祐一
株式会社 富士通研究所
-
松田 学
株式会社 富士通研究所
-
山路 和宏
富士通株式会社
-
小滝 裕二
株式会社 富士通研究所
-
初鹿野 幸男
富士通株式会社
-
町田 英樹
富士通株式会社
-
濱野 宏
株式会社 富士通研究所
-
松田 学
株式会社富士通研究所
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