低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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近年の急激な通信量の増加に伴い,直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている.我々は、低消費電カの高速直接変調レーザの実現に向けて,AlGaInAs歪量子井戸高抵抗埋め込み型レーザの駆動電流低減に取り組んでいる.今回,短DFB活性領域の前後にDBRミラーを集積したDistributed Reflector (DR)レーザを波長1.3μm帯と波長1.55μm帯で作製し,高い緩和振動周波数(f_r)の電流効率,及び低駆動電流での40-Gbps直接変調動作を実現したので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-12-04
著者
-
植竹 理人
株式会社富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
江川 満
(株)富士通研究所
-
大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
-
山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
植竹 理人
(株)富士通研究所
-
奥村 滋一
(株)富士通研究所
-
植竹 理人
富士通研究所
-
植竹 理人
(財)光産業技術振興協会
-
松田 学
(財)光産業技術振興協会
-
江川 満
(財)光産業技術振興協会
-
大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
-
松田 学
株式会社富士通研究所
-
松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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