広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(<小特集>量子ドットの使い道)

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概要

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• 量子ドットを活性層に用いた半導体光増幅器(SOA)は,量子ドットのサイズ分布によって広帯域で利得を持たせることが可能なため,低密度波長多重通信(CWDM)において広い波長範囲を一括増幅できる素子として期待されている.本稿では,波長1.3〜1.6μmの広帯域量子ドットSOAの実現に向けた,MOVPE法によるInP基板上自己形成InAs量子ドットの結晶成長技術開発について,発光波長1.6μmの量子ドット形成とSOA試作,および偏波無依存量子ドットの形成に関する検討について紹介する.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2006-06-30

著者

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 江部 広治

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 河口 研一

  富士通(株)

• 江川 満

  富士通(株)

• 秋山 知之

  富士通(株)

• 植竹 理人

  富士通(株)

• 安岡 奈美

  富士通(株)

• 菅原 充

  富士通(株)

• 秋山 知之

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 河口 研一

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 安岡 奈美

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

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