波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.伝送距離延長に向けた単一モード化のために活性層直上に回折格子を形成したDFBレーザを開発した.従来に比べて大きい結合係数の確保により,安定な単一モード発振を得ることに成功し,15℃から70℃までの温度安定10.3Gb/s変調特性を実現した.また新たに分子線エピタキシー法を用いた高密度量子ドットの成長に成功した.作製した量子ドットの密度は5.9×10^<10>cm^<-2>と従来ドット密度の2倍であり,世界最高レベルの正味最大モード利得を確認した.この高密度量子ドットを活性層に用いてFPレーザを作製し,100℃までの温度無依存10.3Gb/s変調特性と,世界で初めて室温での20Gb/s高速変調を実現した.
- 2009-06-12
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
-
松本 武
(株)富士通研究所
-
江川 満
(株)富士通研究所
-
田中 有
(株)富士通研究所
-
高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
前多 泰成
(株)QDレーザ
-
宋 海智
(株)富士通研究所
-
山口 正臣
(株)QDレーザ
-
中田 義昭
(株)富士通研究所
-
西 研一
(株)QDレーザ
-
菅原 充
(株)富士通研究所
-
高田 幹
株式会社富士通研究所
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
-
高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
菅原 充
(株)QDレーザ
-
西 研一
株式会社qdレーザ
-
前多 泰成
株式会社QDレーザ
-
山口 正臣
(株)富士通研究所
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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