波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.伝送距離延長に向けた単一モード化のために活性層直上に回折格子を形成したDFBレーザを開発した.従来に比べて大きい結合係数の確保により,安定な単一モード発振を得ることに成功し,15℃から70℃までの温度安定10.3Gb/s変調特性を実現した.また新たに分子線エピタキシー法を用いた高密度量子ドットの成長に成功した.作製した量子ドットの密度は5.9×10^<10>cm^<-2>と従来ドット密度の2倍であり,世界最高レベルの正味最大モード利得を確認した.この高密度量子ドットを活性層に用いてFPレーザを作製し,100℃までの温度無依存10.3Gb/s変調特性と,世界で初めて室温での20Gb/s高速変調を実現した.
- 2009-06-12
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
-
松本 武
(株)富士通研究所
-
江川 満
(株)富士通研究所
-
田中 有
(株)富士通研究所
-
高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
前多 泰成
(株)QDレーザ
-
宋 海智
(株)富士通研究所
-
山口 正臣
(株)QDレーザ
-
中田 義昭
(株)富士通研究所
-
西 研一
(株)QDレーザ
-
菅原 充
(株)富士通研究所
-
高田 幹
株式会社富士通研究所
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
-
高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
菅原 充
(株)QDレーザ
-
西 研一
株式会社qdレーザ
-
前多 泰成
株式会社QDレーザ
-
山口 正臣
(株)富士通研究所
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
関連論文
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 超伝導デバイスを用いた光信号波形モニタリング技術の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 省電力・高性能光I/O技術開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-1-9 フォトニック結晶の分散制御と光素子への応用
- 量子ドット光デバイスと国家プロジェクト
- 榊裕之先生,平成20年度文化功労者に
- 1.総論:先端ナノフォトニクスの展開 : 量子ドットを中心にして(進化する先端フォトニックデバイス)
- First Demonstration of Electrically Driven 1.55μm Single-Photon Generator
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- Single-photon generator for telecom applications
- Photonic Crystal Nanocavity Continuous-wave Laser Operation at Room Temperature
- 学術講演「未来社会に向けた工学の新展開〜エレクトロニクスを中心にして〜」
- Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands
- 超低閾値ナノ共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 40G/100Gイーサネット標準に向けた省電力・高性能光I/O技術の開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- フォトニクスの新領域を開いた「面発光レーザー」
- ナノフォトニック素子への期待 : ナノテクノロジｰのフォトニック素子へのインパクト
- 自己形成ナノ構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 半導体ナノテクノロジーと次世代光デバイス
- 半導体ナノテクノロジーとレーザへの展開
- 27p-C-8 電子線誘起MOCVDとそのGaAs細線形成への応用
- 広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(量子ドットの使い道)
- 量子ドット光増幅器と光スイッチ
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ (光エレクトロニクス)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ (フォトニックネットワーク)
- 20aYK-12 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流,発光の制御(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第21回)フォトニック結晶ナノ共振器を利用した光と物質の相互作用制御
- 光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- シリコン上1.3μm量子ドットレーザ--光LSI融合システム構築に向けて
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS-フォトニック結晶機能素子の作製方法
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- グリーンICT社会に向けたフォトニックデバイス : 量子,ナノ,光の融合(エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
- 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
- 高コンダクタンスC_薄膜トランジスタ(センサー,デバイス,一般)
- 有機トランジスタの低電圧動作・高性能化とCMOS応用
- 有機薄膜トランジスタの低電圧動作と閾値電圧
- パリレン薄膜による超薄型有機ELデバイス
- ユビキタス情報化社会の実現に向けたナノテクノロジーの展望
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 低次元量子構造作製技術とデバイス応用の現状と展望 : 量子ドットを中心にして
- 25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- ファジィ論理を用いた非線形画像処理
- 情報通信分野におけるナノテクノロジーの展望 (特集 新世代の情報通信技術)
- 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
- C-4-1 ウェハ融着によるSi基板上1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 量子ドット太陽電池研究の展開
- レーザー学会産業賞を受賞して : 通信用半導体量子ドットレーザー
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用