中田 義昭 | (株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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概要
関連著者
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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菅原 充
(株)QDレーザ
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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松本 武
(株)富士通研究所
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田中 有
(株)富士通研究所
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高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山口 正臣
(株)QDレーザ
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西 研一
(株)QDレーザ
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山本 剛之
(株)QDレーザ
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宋 海智
(株)富士通研究所
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田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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西 研一
株式会社qdレーザ
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山口 正臣
(株)富士通研究所
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中田 義昭
富士通研究所
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石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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高田 幹
株式会社富士通研究所
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高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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和田 修
神戸大院工
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喜多 隆
神戸大院工
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江川 満
(株)富士通研究所
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前多 泰成
(株)QDレーザ
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菅原 充
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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江部 広治
東京大学NCRC IIS
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荒川 泰彦
東京大学NCRC IIS
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堀口 直人
株式会社富士通研究所
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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杉山 芳弘
富士通株式会社
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粟野 祐二
富士通研
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粟野 祐二
富士通株式会社
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粟野 祐二
(株)富士通研究所
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影山 健夫
(株)QDレーザ
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前多 泰成
株式会社QDレーザ
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影山 健生
(株)QDレーザ
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武藤 俊一
北海道大学大学院工学研究科
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喜多 隆
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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和田 修
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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堀口 直人
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通株式会社
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喜多 隆
神戸大学大学院工学研究科
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田村 暢啓
神戸大学大学院 自然科学研究科
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ZHANG YUANCHANG
神戸大学大学院 自然科学研究科
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中田 義昭
東京大学NCRC IIS
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菅原 充
富士通研究所
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宮澤 俊之
(株)富士通研究所
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武藤 俊一
北海道大学工学部
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二木 俊郎
富士通株式会社
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武藤 俊一
北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻
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田村 暢啓
神戸大学大学院自然科学研究科
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Zhang Yuanchang
神戸大学大学院自然科学研究科
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和田 修
神戸大学大学院 工学研究科 電気電子工学専攻
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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影山 健生
株式会社qdレーザ
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武政 敬三
株式会社QDレーザ
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近藤 勇人
(株)QDレーザ
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持田 励雄
(株)QDレーザ
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武政 敬三
(株)QDレーザ
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大島 利雄
(株)富士通研究所
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秋山 知之
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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向井 剛輝
(株)富士通研究所
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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中田 義昭
株式会社富士通研究所
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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持田 励雄
株式会社QDレーザ
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近藤 勇人
株式会社QDレーザ
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羽鳥 伸明
富士通研究所
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Yuanchang Zhang
神戸大学大学院自然科学研究科
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Yuanchang Zhang
神戸大学大学院 自然科学研究科
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羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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江川 満
株式会社富士通研究所
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佐藤 俊彦
Erato
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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太田 剛
NTT物性基礎研
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石田 充
東京大学生産技術研究所
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江部 広治
東京大学生産技術研究所
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山本 剛之
株式会社富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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秋山 知之
富士通研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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河口 研一
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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河口 研一
株式会社富士通研究所
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所
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大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
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中田 義昭
東京大学生産技術研究所
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菅原 充
(財)光産業技術振興協会
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羽田野 剛司
科技団創造
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樽茶 清悟
科技団創造
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樽茶 清悟
JST
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臼杵 達哉
(株)富士通研究所
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太田 剛
科技団創造
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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田中 宏和
神戸大学自然科学研究科
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PACHAMUTHU Jayavel
神戸大学自然科学研究科
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内上 昌裕
神戸大学自然科学研究科
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喜多 隆
神戸大学自然科学研究科
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和田 修
神戸大学自然科学研究科
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菅原 充
東京大学NCRC IIS
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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石川 浩
RWCP光インターコネクション富士通研究室
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堀口 直人
株式会社 富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社 富士通研究所
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中田 義昭
株式会社 富士通研究所
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横山 直樹
株式会社 富士通研究所
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江川 満
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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樽茶 清悟
ERATO
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大野 圭司
理研
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石川 浩
株式会社富士通研究所
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太田 剛
SORST-JST
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羽鳥 伸明
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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江部 広治
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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菅原 充
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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羽島 伸明
東京大学生産研
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秋山 知之
富士通研
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大坪 孝二
富士通研
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中田 義昭
富士通研
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菅原 充
東京大学生産研
-
大野 圭司
東大理
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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宋 海智
ERATO
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中田 義昭
JST
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佐藤 俊彦
科技団創造
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高津 求
(株)富士通研究所
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秋山 知之
富士通株式会社
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中田 義昭
富士通株式会社
-
大坪 孝二
富士通株式会社
-
菅原 充
株式会社富士通研究所
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五十嵐 悠一
東大物理,東大物工
-
大野 圭司
東大物理,東大物工
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樽茶 清悟
東大物理,東大物工
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臼杵 達哉
株式会社富士通研究所
-
小路 元
(株) 富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
-
五十嵐 悠一
東大理
-
石川 浩
(株)富士通研究所
-
小路 元
株式会社富士通研究所
-
向井 剛輝
株式会社富士通研究所
-
杉山 芳弘
株式会社富士通研究所
-
羽鳥 伸明
(株)富士通研究所
-
羽島 伸明
東京大学生産研:東京大学ナノエレ連携研センタ
-
石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所
-
樽茶 清悟
ERATO/JST:東大理物
著作論文
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 30aYA-2 単独自己形成InAs量子ドットのトンネルスペクトロスコピー(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
- 29aYH-10 単独の自己形成 InAs 量子ドットによる単電子トンネルスペクトル測定
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 量子ドット光増幅器と光スイッチ
- 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 22pTH-3 一組の自己形成 InAs 強結合量子ドットの電子輸送特性
- 多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
- CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
- CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
- LQE2000-15 InGaAs/GaAs 自己形成量子ドットレーザーの利得測定
- 半導体量子ドットレーザーの進展
- 量子ドットルーザの開発の現状と今後の展望
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)