宋 海智 | (株)富士通研究所

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概要

• 同名の論文著者
• (株)富士通研究所の論文著者

関連著者

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 西 研一

  株式会社qdレーザ

• 山口 正臣

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 宮澤 俊之

  (株)富士通研究所

• 横山 直樹

  ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 佐藤 俊彦

  Erato

• 大島 利雄

  (株)富士通研究所

• 太田 剛

  NTT物性基礎研

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 樽茶 清悟

  ERATO

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 前多 泰成

  (株)QDレーザ

• 羽田野 剛司

  科技団創造

• 樽茶 清悟

  科技団創造

• 樽茶 清悟

  JST

• 臼杵 達哉

  (株)富士通研究所

• 太田 剛

  科技団創造

• 大野 圭司

  Icorp-jst:理研

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 前多 泰成

  株式会社QDレーザ

• 大野 圭司

  理研

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 樽茶 清悟

  ERATO SORST

• 太田 剛

  SORST-JST

• 大野 圭司

  東大理

• 太田 剛

  ERATO

• 宋 海智

  ERATO

• 中田 義昭

  JST

• 佐藤 俊彦

  科技団創造

• 高津 求

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 五十嵐 悠一

  東大物理,東大物工

• 大野 圭司

  東大物理,東大物工

• 樽茶 清悟

  東大物理,東大物工

• 臼杵 達哉

  株式会社富士通研究所

• 五十嵐 悠一

  東大理

• 羽田野 剛司

  ERATO/JST

• 羽田野 剛司

  ERATO

• 樽茶 清悟

  ERATO/JST

• 樽茶 清悟

  ERATO/JST:東大理物

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著作論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 30aYA-2 単独自己形成InAs量子ドットのトンネルスペクトロスコピー(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
• 29aYH-10 単独の自己形成 InAs 量子ドットによる単電子トンネルスペクトル測定
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 22pTH-3 一組の自己形成 InAs 強結合量子ドットの電子輸送特性
• 7pSA-12 単独の自己形成InAs量子ドットによる単電子輸送(量子ドット,領域4)

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