横山 直樹 | ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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粟野 祐二
富士通研
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粟野 祐二
富士通株式会社
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粟野 祐二
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通株式会社
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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杉山 芳弘
富士通株式会社
-
佐久間 芳樹
富士通株式会社
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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武藤 俊一
北海道大学工学部
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中田 義昭
富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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島 昌司
富士通株式会社
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武藤 俊一
北海道大学大学院工学研究科
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横山 直樹
富士通研究所
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宋 海智
(株)富士通研究所
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宮澤 俊之
(株)富士通研究所
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武藤 俊一
北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻
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堀口 直人
株式会社富士通研究所
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堀口 直人
(株)富士通研究所
-
大島 利雄
(株)富士通研究所
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黒田 剛正
早稲田大学理工学部
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二木 俊郎
富士通株式会社
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竹内 淳
早稲田大 理工
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佐藤 俊彦
Erato
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太田 剛
NTT物性基礎研
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臼杵 達哉
(株)富士通研究所
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山口 正臣
富士通株式会社
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山口 正臣
富士通研究所
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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原田 直樹
富士通(株):jst-crest
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関口 隆史
物質・材料研究機構
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関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
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関口 隆史
物材機構
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中田 義昭
富士通研
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羽田野 剛司
科技団創造
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樽茶 清悟
科技団創造
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樽茶 清悟
JST
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太田 剛
科技団創造
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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関口 隆史
物材研
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竹内 淳
早稲田大学理工学部
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関口 隆史
東北大理
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関口 隆史
金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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二瓶 瑞久
富士通株式会社
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原田 直樹
富士通株式会社
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彦坂 康己
富士通株式会社
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Wirner C.
富士通株式会社
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Strutz T.
富士通株式会社
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Wirner C.
Fujitsu Ltd.
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二瓶 瑞久
Mirai-selete
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竹内 淳
早大理工
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黒田 剛正
早大理工
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笹生 竜次郎
早大理工
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間瀬 和夫
早大理工
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臼杵 達哉
株式会社富士通研究所
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二瓶 瑞久
科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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二瓶 瑞久
独立行政法人産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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樽茶 清悟
ERATO
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阪東 寛
産総研
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大野 圭司
理研
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後藤 賢一
富士通株式会社 次世代lsi開発事業部
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阪東 寛
電子技術総合研究所
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森 俊彦
株式会社富士通研究所
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森 俊彦
富士通研究所
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中川 格
電子技術総合研究所
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中川 格
電総研
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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中尾 宏
(株)富士通研究所
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中島 安理
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
(株)富士通研究所
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臼杵 達也
(株)富士通研究所
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武藤 俊一
富士通株式会社
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森 俊彦
富士通株式会社
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関口 隆史
東北大金研
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太田 剛
SORST-JST
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菅原 充
(株)富士通研究所
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大野 圭司
東大理
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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宋 海智
ERATO
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中田 義昭
JST
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佐藤 俊彦
科技団創造
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後藤 賢一
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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武藤 俊一
北大
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クリストフ ウィルナー
富士通株式会社
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今村 健一
富士通
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中村 智
富士通株式会社
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稲田 嗣夫
富士通株式会社
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田村 泰孝
富士通株式会社
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高津 求
(株)富士通研究所
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足立原 孝実
富士通株式会社
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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間瀬 和夫
早稲田大学理工学部
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三浦 登
東京大学物性研究所
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五十嵐 悠一
東大物理,東大物工
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大野 圭司
東大物理,東大物工
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樽茶 清悟
東大物理,東大物工
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後藤 賢一
株式会社富士通研究所
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杉井 寿博
株式会社富士通研究所
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横山 直樹
富士通(株)
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阪東 寛
産業技術総合研
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中島 安理
(株)富士通研究所:(現)広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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粟野 祐二
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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五十嵐 悠一
東大理
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関口 隆史
東北大学金属材料研究所
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佐久間 芳樹
富士通(株)
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二木 俊郎
富士通(株)
-
内田 和人
東京大学物性研究所
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森 俊彦
富士通
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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臼杵 達哉
富士通研究所
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通
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横山 直樹
株式会社富士通研究所
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樽茶 清悟
ERATO/JST:東大理物
著作論文
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 30aYA-2 単独自己形成InAs量子ドットのトンネルスペクトロスコピー(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
- 29aYH-10 単独の自己形成 InAs 量子ドットによる単電子トンネルスペクトル測定
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
- 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
- (111)B GaAs基板上の正四面体溝にMOVPE成長した量子ドット構造
- ダブルエミッタRHET構造を有するSRAMセル
- 共鳴トンネリングホットエレクトロントランジスタ:RHET (′88富士通総合技術展特集号)
- 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
- 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
- ナノテクノロジ (特集:研究開発最前線) -- (情報通信インフラを支える最先端テクノロジ)
- SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
- VI. 半導体人工格子, 量子ドット 加工基板上に成長した半導体量子ドット
- ジョセフソン-半導体インターフェイス回路のための低温HEMT増幅器
- 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
- 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
- 低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路
- 半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
- 18aYG-5 半導体量子ドット間の交換相互作用による反強磁性秩序の観測
- 27aYS-4 InAs量子ドット内およびドット間トンネルでの電子スピン緩和
- LQE2000-19 結合量子ドット間のトンネル時間の直接測定
- 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 極薄トンネル酸化膜を有するフローティングゲートメモリ : ダイレクトトンネルメモリ(DTM)
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 正四面体溝を利用した量子ドット形成
- 22pTH-3 一組の自己形成 InAs 強結合量子ドットの電子輸送特性