低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ジョセフソン素子は速度、消費電力の点で半導体素子よりも優れているが、現状技術では大規模な集積化が困難である。そこで、ジョセフソン回路と半導体回路を組み合わせたハイブリッドシステムが提案されている。このようなシステムでは、双方の利点を活かしたより高性能な情報処理機器が実現できる可能性がある。ジョセフソン素子と半導体素子の間には、動作する電圧、速度、温度の点でギャップがある。そこで、両者の間で信号をやりとりするインターフェイス回路が必要である。鈴木等は、ジョセフソン昇電圧回路とHEMTを用いて、ジョセフソン回路からの信号を室温半導体レベルまで増幅できることを示した。今回、我々はこの結果をさらに発展させ、数Gb/sの高速信号を室温レベルまで増幅することを目指し、液体窒素温度で動作するHEMTを用いてインターフェイス回路を構成することを検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
原田 直樹
富士通(株):jst-crest
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通研
-
粟野 祐二
富士通株式会社
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所
-
山口 正臣
富士通株式会社
-
原田 直樹
富士通株式会社
-
彦坂 康己
富士通株式会社
-
山口 正臣
富士通研究所
関連論文
- 1. 先天性横隔膜ヘルニアに対するECMO治療(一般演題,第21回日本小児人工臓器研究会)
- P-252 嚢胞型胎便性腹膜炎5例の検討(ポスター 新生児疾患1,Better Life for Sick Children, Better Future for Pediatric Surgery,第45回日本小児外科学会学術集会)
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 量子化機能素子のためのAs-Grownナノ構造の作成
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 術前の気管支鏡検査により気管食道瘻を確認し, 合併症なく管理し得たB型先天性食道閉鎖症の極低出生体重児の1例
- 当院における過去5年間の糖尿病母体より出生した児35例の検討
- CTGリピート数の著明な増加を認め, 胎児水腫・先天性乳糜胸を合併した重症先天性筋強直性ジストロフィーの1救命例
- 化学気相成長法によるグラフェンの合成とトランジスタへの応用(グラフェンの成長と応用)
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 30aYA-2 単独自己形成InAs量子ドットのトンネルスペクトロスコピー(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
- 29aYH-10 単独の自己形成 InAs 量子ドットによる単電子トンネルスペクトル測定
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
- 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
- (111)B GaAs基板上の正四面体溝にMOVPE成長した量子ドット構造
- マルチエミッタ型RHETを用いた論理集積回路
- ダブルエミッタRHET構造を有するSRAMセル
- 共鳴トンネリングホットエレクトロントランジスタ:RHET (′88富士通総合技術展特集号)
- 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
- 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
- ナノテクノロジ (特集:研究開発最前線) -- (情報通信インフラを支える最先端テクノロジ)
- SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
- VI. 半導体人工格子, 量子ドット 加工基板上に成長した半導体量子ドット
- ジョセフソン-半導体インターフェイス回路のための低温HEMT増幅器
- 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
- 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
- 低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路
- 21pXA-14 カーボンナノピーポットにおける異常なべき乗則と原子的振る舞い(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 14aYD-1 ピーポットにおけるゲート電圧変調朝永・ラッティンジャー液体の可能性(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 23aXF-7 二層カーボンナノチューブの物性
- C-8-15 SFQ システム用ラッチ型 Josephson ドライバの BER の評価
- C-8-14 SFQ システム用ラッチ型 Josephson ドライバの高速性と BER の評価
- 高温および低温超電導SFQインターフェイス
- SC-5-6 SFQ出力インターフェイスの高速測定
- SFQ/半導体インターフェイスのためのラッチ型ドライバ
- C-10-12 極性制御可能なグラフェンインバータ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
- 18aYG-5 半導体量子ドット間の交換相互作用による反強磁性秩序の観測
- 27aYS-4 InAs量子ドット内およびドット間トンネルでの電子スピン緩和
- LQE2000-19 結合量子ドット間のトンネル時間の直接測定
- 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 極薄トンネル酸化膜を有するフローティングゲートメモリ : ダイレクトトンネルメモリ(DTM)
- 1a-M-2 バリスティック系電気伝導における形状効果の数値解析
- 27a-P-8 ポイントコンタクトにおけるコンダクタンスへの反射障壁の影響
- 強誘電体をゲート絶縁膜に用いた誘電体ベーストランジスタ
- 誘電体ベーストランジスタを用いた強誘電体メモリセル
- RHETおよびマルチエミッタ型RHETを用いた論理回路
- 29pZP-4 二層カーボンナノチューブ量子ドットへの単一キャリア注入(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- C-2-43 カーボンナノチューブを用いた微細インダクタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 19pRA-9 カーボンナノチューブ熱輸送 : デバイスの放熱応用(企画講演,ナノチューブ・光物性・熱伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 特発性肺ヘモジデローシスを合併した新生児期発症血球貪食性リンパ組織球症の1例
- 出生直後に発症したビタミンK欠乏性出血症の成熟新生児の2例
- 正四面体溝を利用した量子ドット形成
- チタン・コバルト二元系微粒子からのカーボンナノチューブ成長
- 22pTH-3 一組の自己形成 InAs 強結合量子ドットの電子輸送特性
- ナノテクノロジーへの期待 : 富士通研究所の取り組み
- 日本技術者教育認定制度に対する応用物理学会の取り組み
- 多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
- シリサイド触媒による多層カーボンナノチューブのプラズマCVD成長
- CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
- CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
- 材料・応用編 カーボンナノチューブの電子デバイスへの応用 (特集 カーボンナノチューブが拓く新世界--挑戦と創造)
- 私の意見民間企業の-中間管理職としての意見
- 量子効果デバイスで集積回路はどう変るか : 量子効果デバイスの現状と展望
- カーボンナノチューブ配線
- カーボンナノチューブの電子デバイス応用
- 25p-ZB-3 量子ポイントコンタクトから出射された電子波の角度分布とグリーン関数による解析
- 合同セッションF「カーボンナノチューブの基礎と応用」
- 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
- 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
- 半導体ナノテクノロジーによる新型量子ドットメモリ 電荷数制御多値記憶と超高感度光検出動作に成功
- 平成11年度リフレッシュ理科教室報告
- カーボンナノチューブの機械的応用に関する研究の紹介(すごーく小さいもの)
- 集学的治療により救命しえた Potter sequence の1例
- グラフェンのCVD合成と転写プロセスを用いないトランジスタ形成法の開発
- 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- 分娩進行中に新型インフルエンザ(パンデミック(H1N1)2009)を発症した妊婦より出生した新生児の1例 : オセルタミビルの使用経験
- 特発性乳び胸, 肝結節性病変, 片側性多嚢胞性異形成腎を伴った重症胎児水腫の1例
- RAA系ホルモンの動態からみた一絨毛膜性双胎管理における体重差の意義
- 新生児感染症に対する超高速PCR装置を用いた迅速診断法の開発(第1報)
- C-10-1 単層グラフェン中の電子速度シミュレーション(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- パンデミックインフルエンザA(H1N1)2009を発症中に分娩に至った妊婦2症例における経胎盤感染の検討
- 技術解説 エレクトロニクス応用に向けたカーボンナノチューブ技術--ULSI配線ビア技術
- カーボンナノチューブの電子デバイス応用
- ラマン分光法およびXPSによるSiO_2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究(配線・実装技術と関連材料技術)
- 排熱TSVへ向けたナノカーボン材料の熱特性評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- 7pSA-12 単独の自己形成InAs量子ドットによる単電子輸送(量子ドット,領域4)
- 24pXP-5 単一の自己形成InAs二重結合量子ドットの電子輸送特性(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))