正四面体溝を利用した量子ドット形成
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
関口 隆史
物質・材料研究機構
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
佐久間 芳樹
富士通株式会社
-
関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
関口 隆史
物材機構
-
二木 俊郎
株式会社富士通研究所
-
関口 隆史
物材研
-
関口 隆史
東北大理
-
関口 隆史
金属材料研究所
-
関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
三浦 登
東京大学物性研究所
-
横山 直樹
富士通(株)
-
関口 隆史
東北大学金属材料研究所
-
佐久間 芳樹
富士通(株)
-
二木 俊郎
富士通(株)
-
内田 和人
東京大学物性研究所
-
Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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