自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
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概要
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自己形成InAs量子ドットを埋め込んだpinダイオードの光電流スペクトルのホールバーニング現象を観測した。スペクトルホールは外部バイアス電圧4V以上、温度40K以下で現われその幅は5Kの1mm以下と狭い。量子ドットの吸収スペクトルをローレンツ関数で、読み取り光であるcw Ti:A1_2O_3レーザスペクトルをガウス関数で近似し書き込み光レーザの発振スペクトルの数の畳み込み積分を行うと実験結果とほぼ良い一致をみた。得られた均一幅は80μeV以下であった。正孔が量子ドットに滞留するとしてその寿命を計算するとμsオーダであることが分かった。また多層積層したInAs量子ドットの光吸収スペクトルが明瞭に観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-22
著者
-
武藤 俊一
北海道大学大学院工学研究科
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
堀口 直人
(株)富士通研究所
-
杉山 芳弘
富士通株式会社
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通研
-
中田 義昭
(株)富士通研究所
-
二木 俊郎
株式会社富士通研究所
-
武藤 俊一
北海道大学工学部
-
二木 俊郎
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通株式会社
-
武藤 俊一
北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻
-
堀口 直人
株式会社富士通研究所
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
中田 義昭
富士通研究所
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