誘電体ベーストランジスタを用いた強誘電体メモリセル
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概要
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誘電体ベーストランジスタの回路応用として, 強誘電体薄膜と組み合わせたメモリセルが考えられる。このような駆動能力のある1トランジスタ型のゲインセル構造に加えて, さらに抵抗0の超伝導配線を用いて, センス回路一つ当りのセル数を増やせ, 高集積化が可能となる。今回, このようなメモリセルを実現するために, 強誘電体ベース絶縁膜を用いた誘電体ベーストランジスタを検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
鈴木 秀雄
超電導工学研究所
-
横山 直樹
富士通
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
波頭 経裕
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
吉田 晃
超伝導工学研究所
-
鈴木 秀雄
国際超電導産業技術研究センター
-
吉田 晃
超電導工学研究所
-
鈴木 秀雄
財)国際超電導産業技術研究センター
-
吉田 晃
富士通株式会社
-
波頭 経裕
富士通株式会社
-
阿曽 弘之
富士通研究所
-
鈴木 秀雄
富士通株式会社
-
吉田 親子
富士通株式会社
-
阿曽 広之
(株)富士通研究所
-
波頭 経裕
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
吉田 親子
富士通研
-
吉田 親子
(株)富士通研究所
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