ITOバリアを用いたランプエッジ型超伝導接合
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概要
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ITO(1Wt%)バリア厚さ17nmのランプ型ジョセフソン接合を作製した。ITOは20という比較的小さな比誘電率を持つこと、移動度が100cm^2/Vs、キャリア密度が1.1×10^20cm^<-3>、そしてYBCO(001)上のITOが(100)配向することからジョセフソン接合のバリアに有用であると考えた。さらにどのような配向のITO上でもYBCOは(001)配向することも魅力である。6μmと10μm幅の8個の接合を20Kから80Kまで測定したところ、20Kから77Kまでのどの温度においてもRSJ的な振舞いを示し、磁場に対しても完全な応答を示した。20KでのIcRnの最大は2.2mV、平均は1.7mVのものを作製することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-16
著者
-
横山 直樹
富士通
-
横山 直樹
富士通研究所
-
波頭 経裕
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
石丸 喜康
超電導工学研究所
-
吉田 晃
超伝導工学研究所
-
吉田 晃
超電導工学研究所
-
吉田 晃
富士通株式会社
-
波頭 経裕
富士通研究所(株)
-
阿曽 広之
富士通研究所(株)
-
石丸 喜康
富士通研究所(株)
-
吉田 晃
富士通研究所(株)
-
阿曽 弘之
富士通研究所
-
波頭 経裕
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
-
石丸 喜康
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
阿曽 広之
富士通研究所
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