28p-M-14 強誘電体PbTiO_3の(100)分域壁の第一原理計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
関連論文
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 31a-F-9 Co_2SiとCoSiの電子構造計算
- 12a-A-13 TiSi_2の構造のLAPW-CP法による理論計算
- 28a-ZH-7 III-V族化合物半導体超格子の光学遷移
- 28p-X-2 Si-Ge超格子の電子状態
- 2p-D-10 Si-Ge超格子の光学遷移強度
- 30a-Z-1 Si-Ge超格子の電子構造計算 : 界面での混晶化の効果
- MBEの分子動力学シミュレーション
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 28a-F-12 Si-Ge超薄膜超格子のバンドギャップ
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
- 18aYG-5 半導体量子ドット間の交換相互作用による反強磁性秩序の観測
- 27aYS-4 InAs量子ドット内およびドット間トンネルでの電子スピン緩和
- LQE2000-19 結合量子ドット間のトンネル時間の直接測定
- ITOバリアを用いたランプエッジ型超伝導接合
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
- TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
- 自己組織的手法への期待
- ナノテクノロジーへの期待 : 富士通研究所の取り組み
- SSDM2001国際会議報告
- 日本技術者教育認定制度に対する応用物理学会の取り組み
- 24pX-4 第一原理計算で強誘電体のなにがわかるのか?
- 28p-M-14 強誘電体PbTiO_3の(100)分域壁の第一原理計算
- 25a-A-4 Bi層状強誘電体SrBi_2Ta_2O_9の第一原理計算による構造解析
- 超伝導X線検出器用Nb/Al-AlO_x-Al/Ta/Nb接合の作成
- ホットエレクトロントランジスタ
- 1a-N-3 (GaP)_m/(AlP)_n超格子の電子構造計算
- 共鳴トンネル効果とトランジスタ (量子効果デバイスの現状と展望)
- ジョセフソン回路における接地面下配線による電源供給方式(試作・評価)
- 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
- 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
- 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
- 31a-TA-10 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化
- 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
- 量子ポイントコンタクトから出射された電子波の角度分布
- RHETにおけるホットエレクトロン伝導の解析
- 共鳴トンネリングホットエレクトロントランジスタ(RHET)の解析 (3-5族半導体デバイスと集積回路)
- ICT化社会における電子デバイスが果たす役割(エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 21世紀の情報技術とナノテクノロジーへの期待
- 23pYQ-3 Bi層状強誘電体SBTの自発分極量の第一原理計算
- 29a-PS-7 水素終端Si(100)表面上の吸着Al原子の第一原理計算
- 3p-J-5 水素終端Si(100)表面上へのAl, C原子吸着の第一原理計算
- 水素終端Si(100)面上のAl原子吸着の理論計算
- 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
- 化合物半導体ナノテクロノジーの現状と将来 (特集 ナノテクの世界)
- ナノサイエンス・ナノテクノロジー ナノテクノロジーへの期待--富士通研究所の取り組み
- グラフェンのCVD合成と転写プロセスを用いないトランジスタ形成法の開発
- ナノエレクトロニクスへの挑戦
- 1p-F4-1 MBEの分子動力学シミュレーション(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)