池田 稔 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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池田 稔
富士通研究所
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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谷田 義明
富士通研
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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山崎 隆浩
富士通研究所
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谷田 義明
富士通研究所
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小口 多美夫
広島大学理学部
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寺倉 清之
東大物性研
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小口 多美夫
金属材料技術研究所
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森川 良忠
阪大産研
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寺倉 清之
産総研:北陸先端大
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池田 稔
富士通厚木研究所
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山崎 隆浩
富士通厚木研究所
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森川 良忠
東大物性研
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池田 稔
富士通厚木研
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寺倉 清之
産総研
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横山 直樹
富士通研究所
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寺倉 清之
Jrcat
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寺倉 清之
融合研(jrcat)
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藤田 真理
富士通研究所
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Kresse G.
ウィーン大学CMS
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Hafner J.
ウィーン大学CMS
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原 久美子
富士通厚木研究所
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石田 浩
東大・物性研
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大淵 真理
富士通研究所
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池田 稔
富士通研厚木研究所
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寺倉 清之
物性研究所
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三上 益弘
富士通株式会社
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原 久美子
富士通研究所
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石田 浩
物性研究所
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田子 精男
富士通株式会社
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石田 浩
物惟研
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横山 直樹
富士通
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山崎 隆浩
(株)富士通研究所
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谷田 義明
富士通研厚木研究所
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大槻 修
金属材料技術研究所
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石田 浩
東大 物性研
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大淵 真理
(株)富士通研究所
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谷田 義明
(株)富士通研究所
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池田 稔
(株)富士通研究所
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G Kresse
Wien工科大学理論物理研
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J Hafner
Wien工科大学理論物理研
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KRESSE G.
Wien工科大学理論物理研
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HAFNER J.
Wien工科大学理論物理研
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Kresse G.
ウイーン大学固体物理研
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Hafner J.
ウイーン大学固体物理研
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三上 益弘
産総研計算科学研究部門
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山崎 隆浩
富士通研
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寺倉 清之
金属材料技術研究所
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大槻 修
富士通研究所
著作論文
- 31a-F-9 Co_2SiとCoSiの電子構造計算
- 12a-A-13 TiSi_2の構造のLAPW-CP法による理論計算
- 28a-ZH-7 III-V族化合物半導体超格子の光学遷移
- 28p-X-2 Si-Ge超格子の電子状態
- MBEの分子動力学シミュレーション
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
- TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
- 24pX-4 第一原理計算で強誘電体のなにがわかるのか?
- 28p-M-14 強誘電体PbTiO_3の(100)分域壁の第一原理計算
- 25a-A-4 Bi層状強誘電体SrBi_2Ta_2O_9の第一原理計算による構造解析
- 1a-N-3 (GaP)_m/(AlP)_n超格子の電子構造計算
- 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
- 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
- 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
- 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
- 23pYQ-3 Bi層状強誘電体SBTの自発分極量の第一原理計算
- 29a-PS-7 水素終端Si(100)表面上の吸着Al原子の第一原理計算
- 3p-J-5 水素終端Si(100)表面上へのAl, C原子吸着の第一原理計算
- 水素終端Si(100)面上のAl原子吸着の理論計算
- 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
- 1p-F4-1 MBEの分子動力学シミュレーション(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)