石田 浩 | 物性研究所
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概要
関連著者
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石田 浩
東大・物性研
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石田 浩
物性研究所
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石田 浩
物惟研
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石田 浩
東大 物性研
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寺倉 清之
Jrcat
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寺倉 清之
物性研
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原 久美子
富士通厚木研究所
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小口 多美夫
広島大学理学部
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寺倉 清之
融合研(jrcat)
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池田 稔
富士通研究所
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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寺倉 清之
産総研
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塚田 捷
東大理
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小口 多美夫
金属材料技術研究所
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三上 益弘
富士通株式会社
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原 久美子
富士通研究所
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田子 精男
富士通株式会社
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大槻 修
金属材料技術研究所
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三上 益弘
産総研計算科学研究部門
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寺倉 清之
物性研究所
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池田 稔
富士通厚木研究所
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小口 多美夫
金材技研
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大槻 修
富士通厚木研
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三上 益弘
富士通システム本部
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松宮 徹
新日鉄中研
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川上 和人
新日鉄中研
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島 信幸
姫路工大理
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川上 和人
新日本製鐵(株)技術開発本部 先端技術研究所
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川上 和人
新日鉄先端技術
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島 信幸
東大理
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朱 梓忠
東大理
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川上 和人
新日本製鐵(株)
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寺倉 清之
金属材料技術研究所
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大槻 修
富士通研究所
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原 久美子
富士通厚木研
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島 信幸
東大・理・物理
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池田 稔
富士通厚木研
著作論文
- MBEの分子動力学シミュレーション
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 3p-C4-4 Si(100)2x1/K(被覆度=1/2,1)の電子状態
- 30p-D-4 Si(111)2×1/Alkali系の電子状態
- 28p-D-7 NbC, TaC(001) の表面フォノン
- 28a-A-8 半導体超格子のプラズモン : 井戸間相互作用の効果
- 1p-F4-1 MBEの分子動力学シミュレーション(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)