寺倉 清之 | 産総研
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概要
関連著者
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寺倉 清之
産総研
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寺倉 清之
Jrcat
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寺倉 清之
融合研(jrcat)
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寺倉 清之
東大物性研
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小口 多美夫
広島大学理学部
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浅田 寿生
静大工
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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浅田 寿生
静大工短
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寺倉 清之
北陸先端大
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寺倉 清之
物性研
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小林 一昭
無機材研(jrcat)
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寺倉 清之
産総研:北陸先端大
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橋本 保
産総研
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小口 多美夫
金属材料技術研究所
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橋本 保
産総研計算科学
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浜田 典昭
東理大理工
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浜田 典昭
JRCAT
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浜田 典昭
物性研
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浜田 典昭
東大物性研
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池田 稔
富士通厚木研究所
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澤田 英明
JRCAT
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寺倉 清之
Jrcat 産業技術融合領域研究所
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澤田 英明
新日鉄先端技術
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池田 稔
富士通厚木研
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浜田 典昭
JRCAT-ATP
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森川 良忠
阪大産研
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滝沢 聡
東大物性研
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池田 稔
富士通研究所
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原 久美子
富士通厚木研究所
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石田 浩
東大・物性研
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松井 義人
岡山大地内研
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Blugel S.
東大物性研
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石田 浩
東大 物性研
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Blugel S.
ユーリッヒ固体研
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S Bluegel
ユーリッヒ固体研
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石田 浩
物惟研
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森分 博紀
ファインセラミックスセンター
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小林 一昭
無機材研
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森川 良忠
産総研
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藤川 安仁
東北大金研
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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桜井 利夫
東北大wpi
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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Lagally M.
Univ. of Wisconsin-Madison
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寺倉 清之
物性研究所
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原 久美子
富士通研究所
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石田 浩
物性研究所
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小林 一昭
東大物性研
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櫻井 利夫
東北大学際センター
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ブリューゲル S.
東大物性研
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三上 益弘
産総研計算科学研究部門
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中西 毅
産総研
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安藤 恒也
東工大理
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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森分 博紀
JFCCナノ構造研究所
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滝沢 聡
北海道大学大学院工学研究科材料科学専攻
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長谷川 幸雄
東大物性研
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安藤 恒也
東京大学物性研究所
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安藤 恒也
第2段審査委員:東大物性研
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櫻井 利夫
東北大金研
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小野 雅紀
東大物性研
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江口 豊明
東大物性研
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三上 益弘
産総研計算科学
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平山 司
ファインセラミックスセンター
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小口 多美夫
広島大理
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安藤 恒也
東工大院理工
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田村 友幸
産総研計算科学
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石橋 章司
産総研計算科学
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柳瀬 章
大阪府大総合科学
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三宅 隆
産総研:js-crest
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山崎 隆治
富士通厚木研
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安 東秀
東大物性研
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柳瀬 章
大阪府大
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池田 隆司
原子力機構
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翁 紅明
JST,CREST
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安 東秀
東大物性研:jst
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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江口 豊明
東京大学物性研究所
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秋山 琴音
東京大学物性研究所
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小野 雅紀
理化学研究所
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秋山 琴音
東大物性研
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藤川 安仁
東北大学金属材料研究所
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中山 正敏
九大教養
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塚田 捷
東大理
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中山 正敏
九州大学:日本物理学会
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山崎 隆浩
富士通研究所
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谷田 義明
富士通研厚木研究所
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池田 稔
富士通研厚木研究所
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三上 益弘
富士通株式会社
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田子 精男
富士通株式会社
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大槻 修
金属材料技術研究所
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朴 宅
物性研
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小口 多美夫
金材技研
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毛利 哲雄
北大工
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滝沢 聡
北大工
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毛利 哲雄
北海道大学大学院工学研究科材料科学専攻
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毛利 哲雄
北大
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小谷 岳生
アリゾナ州立大
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三宅 隆
東工大理
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島 信幸
姫路工大理
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浅田 寿生
静大教養
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Kokko K
東大物性研
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山崎 隆浩
富士通厚木研究所
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石田 浩
東大物性研究所
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寺倉 清之
東京大学物性研究所
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池田 隆司
JACAT-ATP
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櫻井 俊夫
東北大
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Lagally M.
University of Wisconsin-Madison
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石橋 章司
産総研
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平山 司
JFCCナノ構造研究所
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安藤 恒也
東工大 理
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島 信幸
東大理
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小谷 岳生
阪大理
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Aryasetiawan F.
産総研
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薄田 学
原研
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Schilfgaarde M.
アリゾナ州立大
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谷田 義明
富士通研
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Blugel Stefan
東大物性研
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Ando Tsuneya
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:(present Address)department Of Physics Tokyo I
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朱 梓忠
東大理
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田村 友幸
産総研・計算科学
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森分 博紀
(財)ファインセラミックスセンター
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井上 耕一郎
九大教養
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翁 紅明
Jst Crest:北陸先端大
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星野 敏春
静大工短
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平山 司
ファインセラミックスセ ナノ構造研
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Mukai Toshiji
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
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三上 益弘
産総研計算
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森分 博紀
(財)ファインセラミックスセンター(jfcc)ナノ構造研究所
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石田 浩
東大物性研
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原 久美子
富士通厚木研
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島 信幸
東大・理・物理
著作論文
- 30aYA-6 量子ドットにおける連続状態とファノ効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 23pXA-7 金属/TiO_2界面の構造とその特性の第一原理計算(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 12a-S-16 α, β Mnの電子状態-I
- 28a-ZH-7 III-V族化合物半導体超格子の光学遷移
- 28p-X-2 Si-Ge超格子の電子状態
- 2p-D-10 Si-Ge超格子の光学遷移強度
- 30a-Z-1 Si-Ge超格子の電子構造計算 : 界面での混晶化の効果
- MBEの分子動力学シミュレーション
- 28p-PS-9 酸化物高温超伝導体の電子状態
- 酸化物高温超伝導体の構造と電子状態
- LaVO_3とYVO_3の軌道整列
- 31p-R-12 La_Ba_xMnO_3のバンド構造
- 31p-R-11 LaCo_Ni_xO_3の相安定性と磁性
- 2p-Z-12 ペロブスカイト型遷移金属酸化物のバンド構造
- 5p-D-9 第一原理分子動力学法による定圧問題への応用
- 30p-E-2 第一原理分子動力学法によるシリカの圧力依存性II
- 27a-ZM-4 第一原理分子動力学法によるシリカ多形の安定構造の圧力依存性
- 第1原理計算でどこまで行けるか? (鉱物学この10年の進歩と将来)
- 2p-E-5 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化II
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 分子動力学法によるMBE結晶成長シミュレーション
- Si(001)再構成表面の秩序・無秩序転移
- 電子状態計算の役割 (高温超伝導--物質,物性,理論) -- (電子構造)
- 電子状態計算と物質設計システム (計算物理特集号)
- 20pWF-13 メタンハイドレイトの圧力誘起構造相転移
- 26aYE-11 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pXA-4 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3系・SrTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
- 23aPS-1 乱雑位相近似による固体の全エネルギー計算
- 3p-C4-4 Si(100)2x1/K(被覆度=1/2,1)の電子状態
- CuPt合金の圧力誘起構造相転移の理論II
- 1p-W-2 負金属の構造安定性
- 31a-W-4 CuPt合金の圧力誘起相転移
- 27a-Y-3 Si(001)清浄表面の秩序・無秩序転移のシミュレーション
- 31a-TA-10 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化
- 金森順次郎, 大阪と自然科学, 国際高等研究所, 2001, 76p., 12.5/18.5cm, 700円, 高等研選書15, 一般書
- 22pXC-4 自己組織化のシミュレーションにおける課題
- 28a-YP-12 α, βMnの電子状態-II
- 物性研究所の大学院問題に対する一見解 (「今,大学院が変わろうとしている : その3」)
- 31p-PSA-12 GGAによるMnの電子状態
- 25a-T-3 Cu-Pt合金の相安定性についての電子論的考察
- 26a-PS-50 GGAによるMn、Co、Niの電子状態 : Fixed Spin Moment 法
- 30a-APS-3 非局所密度汎関数法による遷移金属の電子状態 III
- 3p-PS-49 非局所密度汎関数法による遷移金属の電子状態
- 電子状態理論における、アルゴリズムに関する新しい流れ
- 30p-K-9 電子状態理論における、アルゴリズムに関する新しい流れ
- 4a-A2-3 半導体中の異常ミュオニウムの電子状態(II)
- バンド理論と超伝導体 (超伝導新理論の展望)