3p-C4-4 Si(100)2x1/K(被覆度=1/2,1)の電子状態
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
-
寺倉 清之
物性研
-
寺倉 清之
産総研
-
寺倉 清之
Jrcat
-
寺倉 清之
融合研(jrcat)
-
塚田 捷
東大理
-
石田 浩
東大・物性研
-
石田 浩
物性研究所
-
島 信幸
姫路工大理
-
石田 浩
東大 物性研
-
島 信幸
東大理
-
朱 梓忠
東大理
-
石田 浩
物惟研
-
島 信幸
東大・理・物理
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