31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-03-16
著者
-
山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
-
池田 稔
富士通研究所:富士通
-
原 久美子
富士通厚木研究所
-
寺倉 清之
産総研
-
寺倉 清之
Jrcat
-
寺倉 清之
融合研(jrcat)
-
寺倉 清之
東大物性研
-
山崎 隆浩
富士通研究所
-
石田 浩
東大・物性研
-
池田 稔
富士通厚木研究所
-
山崎 隆浩
富士通厚木研究所
-
石田 浩
東大物性研究所
-
石田 浩
東大 物性研
-
石田 浩
東大物性研
-
原 久美子
富士通厚木研
-
石田 浩
物惟研
-
池田 稔
富士通厚木研
関連論文
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 30aYA-6 量子ドットにおける連続状態とファノ効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 23pXA-7 金属/TiO_2界面の構造とその特性の第一原理計算(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ナノデバイスに向けたシリコン/絶縁体界面の解明と設計のための試み (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
- HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高誘電率ゲート絶縁膜材料の結晶化シミュレーション
- Si/SiO_2界面の構造と電子状態
- 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
- 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
- 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
- 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
- 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
- 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
- 31a-F-9 Co_2SiとCoSiの電子構造計算
- 12a-A-13 TiSi_2の構造のLAPW-CP法による理論計算
- 12a-S-16 α, β Mnの電子状態-I
- 28a-ZH-7 III-V族化合物半導体超格子の光学遷移
- 28p-X-2 Si-Ge超格子の電子状態
- 2p-D-10 Si-Ge超格子の光学遷移強度
- 30a-Z-1 Si-Ge超格子の電子構造計算 : 界面での混晶化の効果
- MBEの分子動力学シミュレーション
- 28p-PS-9 酸化物高温超伝導体の電子状態
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 28a-F-12 Si-Ge超薄膜超格子のバンドギャップ
- 酸化物高温超伝導体の構造と電子状態
- LaVO_3とYVO_3の軌道整列
- 31p-R-12 La_Ba_xMnO_3のバンド構造
- 31p-R-11 LaCo_Ni_xO_3の相安定性と磁性
- 2p-Z-12 ペロブスカイト型遷移金属酸化物のバンド構造
- 5p-D-9 第一原理分子動力学法による定圧問題への応用
- 30p-E-2 第一原理分子動力学法によるシリカの圧力依存性II
- 27a-ZM-4 第一原理分子動力学法によるシリカ多形の安定構造の圧力依存性
- 第1原理計算でどこまで行けるか? (鉱物学この10年の進歩と将来)
- 2p-E-5 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化II
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 分子動力学法によるMBE結晶成長シミュレーション
- Si(001)再構成表面の秩序・無秩序転移
- 電子状態計算の役割 (高温超伝導--物質,物性,理論) -- (電子構造)
- 電子状態計算と物質設計システム (計算物理特集号)
- 20pWF-13 メタンハイドレイトの圧力誘起構造相転移
- 26aYE-11 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pXA-4 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3系・SrTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
- Si(100)面の酸化反応における等温及び断熱遷移過程
- 3a-K-9 スピン分極GGAによるSi(100)面の初期酸化過程の解析II
- 30a-PS-8 スピン分極GGAによるSi(001)面の初期酸化過程の解析
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
- 23aPS-1 乱雑位相近似による固体の全エネルギー計算
- 24pX-4 第一原理計算で強誘電体のなにがわかるのか?
- 28p-M-14 強誘電体PbTiO_3の(100)分域壁の第一原理計算
- 25a-A-4 Bi層状強誘電体SrBi_2Ta_2O_9の第一原理計算による構造解析
- 3p-C4-4 Si(100)2x1/K(被覆度=1/2,1)の電子状態
- CuPt合金の圧力誘起構造相転移の理論II
- 1p-W-2 負金属の構造安定性
- 31a-W-4 CuPt合金の圧力誘起相転移
- 7a-PS-30 Si(001)表面のSiダイマーの拡散と凝集
- 29a-PS-1 Si(001)表面のSiダイマー拡散
- アトムテクノロジ-研究体におけるVPP500の応用事例 (特集 HPC(High Performance Computing))
- 30a-PS-9 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析II
- 1a-N-3 (GaP)_m/(AlP)_n超格子の電子構造計算
- 27a-Y-3 Si(001)清浄表面の秩序・無秩序転移のシミュレーション
- 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
- 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
- 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
- 31a-TA-10 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化
- 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
- 金森順次郎, 大阪と自然科学, 国際高等研究所, 2001, 76p., 12.5/18.5cm, 700円, 高等研選書15, 一般書
- 22pXC-4 自己組織化のシミュレーションにおける課題
- 28a-YP-12 α, βMnの電子状態-II
- 物性研究所の大学院問題に対する一見解 (「今,大学院が変わろうとしている : その3」)
- 31p-PSA-12 GGAによるMnの電子状態
- 25a-T-3 Cu-Pt合金の相安定性についての電子論的考察
- 26a-PS-50 GGAによるMn、Co、Niの電子状態 : Fixed Spin Moment 法
- 30a-APS-3 非局所密度汎関数法による遷移金属の電子状態 III
- 3p-PS-49 非局所密度汎関数法による遷移金属の電子状態
- 電子状態理論における、アルゴリズムに関する新しい流れ
- 23pYQ-3 Bi層状強誘電体SBTの自発分極量の第一原理計算
- 29a-PS-7 水素終端Si(100)表面上の吸着Al原子の第一原理計算
- 3p-J-5 水素終端Si(100)表面上へのAl, C原子吸着の第一原理計算
- 水素終端Si(100)面上のAl原子吸着の理論計算
- 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
- 30p-K-9 電子状態理論における、アルゴリズムに関する新しい流れ
- 4a-A2-3 半導体中の異常ミュオニウムの電子状態(II)
- バンド理論と超伝導体 (超伝導新理論の展望)
- 31p-S-12 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析
- 31a-S-12 Si(001)表面上の欠陥構造と電子状態
- 31a-F4-7 シリコンの多体原子間tポテンシャル(表面・界面)
- 1p-F4-1 MBEの分子動力学シミュレーション(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
- 31a-F4-2 MBEの分子動力学によるシミュレーンヨンII(表面・界面)