池田 稔 | 富士通研究所:富士通
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概要
関連著者
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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池田 稔
富士通研究所
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池田 稔
富士通厚木研究所
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富士通研
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広島大学理学部
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融合研(jrcat)
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ウィーン大学CMS
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ユーリッヒ固体研
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著作論文
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- 12a-A-13 TiSi_2の構造のLAPW-CP法による理論計算
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- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
- TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
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- 28p-M-14 強誘電体PbTiO_3の(100)分域壁の第一原理計算
- 25a-A-4 Bi層状強誘電体SrBi_2Ta_2O_9の第一原理計算による構造解析
- 1a-N-3 (GaP)_m/(AlP)_n超格子の電子構造計算
- 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
- 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
- 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
- 31a-TA-10 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化
- 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
- 23pYQ-3 Bi層状強誘電体SBTの自発分極量の第一原理計算
- 29a-PS-7 水素終端Si(100)表面上の吸着Al原子の第一原理計算
- 3p-J-5 水素終端Si(100)表面上へのAl, C原子吸着の第一原理計算
- 水素終端Si(100)面上のAl原子吸着の理論計算
- 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着