谷田 義明 | 富士通研
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概要
関連著者
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谷田 義明
富士通研
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谷田 義明
富士通研究所
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池田 稔
富士通研究所
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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山崎 隆浩
富士通研究所
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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青木 秀夫
東大理
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黒木 和彦
電通大量子・物質工
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小口 多美夫
広島大学理学部
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有田 亮太郎
東大理
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塚田 捷
東大理
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大淵 真理
富士通研究所
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藤田 真理
富士通研究所
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池田 稔
富士通研厚木研究所
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塚田 捷
東大院理
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塚田 捷
東京大学理学部物理学科
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渡辺 悟
(株)富士通研究所
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渡辺 悟
富士通研究所
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吉本 芳英
東大理
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寺倉 清之
産総研
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田中 均
富士通研究所
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寺倉 清之
Jrcat
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寺倉 清之
融合研(jrcat)
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寺倉 清之
東大物性研
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山崎 隆浩
(株)富士通研究所
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杉山 芳弘
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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小口 多美夫
金属材料技術研究所
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谷田 義明
富士通研厚木研究所
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山口 正臣
富士通研究所
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田村 泰之
富士通研究所
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吉田 親子
富士通研究所
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塚田 捷
東大 理・物理
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大淵 真理
(株)富士通研究所
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谷田 義明
(株)富士通研究所
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池田 稔
(株)富士通研究所
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宮垣 真治
富士通研究所
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吉田 親子
富士通研
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吉田 親子
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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吉田 親子
(株)富士通研究所
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塚田 捷
東大 理 物理
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杉山 芳弘
富士通研究所
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山崎 隆浩
富士通研
著作論文
- 31a-F-9 Co_2SiとCoSiの電子構造計算
- 28a-ZH-7 III-V族化合物半導体超格子の光学遷移
- TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
- Al_2O_3-膜の電気特性に対する窒素添加効果
- 1a-N-3 (GaP)_m/(AlP)_n超格子の電子構造計算
- 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
- 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
- 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
- 29a-PS-7 水素終端Si(100)表面上の吸着Al原子の第一原理計算
- 3p-J-5 水素終端Si(100)表面上へのAl, C原子吸着の第一原理計算
- 水素終端Si(100)面上のAl原子吸着の理論計算
- 31a-PS-19 Si(001)表面におけるアセチレン分子の反応素過程の第一原理計算
- 7a-PS-29 Si(001)表面炭化反応の第一原理計算
- 23aYE-13 アルカリハライド/金属界面における金属誘起ギャップ状態の第一原理計算
- 30aYQ-8 金属/半導体接合系のエネルギーギャップ
- 24pY-4 Si(001)-C_2H_2科学吸着表面における残されたシリコンダイマーの役割
- 29a-PS-22 C2H2分子吸着Si(001)表面への原子状水素共吸着
- 26p-YM-4 アセチレン分子吸着Si(001)表面の第一原理計算