吉田 親子 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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吉田 親子
富士通研究所
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吉田 親子
富士通研
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吉田 親子
(株)富士通研究所
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杉山 芳弘
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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大谷 成元
富士通研究所 メモリデバイス研究部
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大谷 成元
富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所
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吉田 親子
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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吉田 親子
富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所
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近藤 和昭
富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所
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杉山 芳弘
富士通研究所
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鈴木 秀雄
超電導工学研究所
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佐藤 雅重
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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横山 直樹
富士通
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杉山 芳弘
富士通株式会社
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横山 直樹
富士通株式会社
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波頭 経裕
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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石丸 喜康
超電導工学研究所
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吉田 晃
超伝導工学研究所
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中村 友二
富士通研究所
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田中 均
富士通研究所
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佐藤 嘉洋
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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鈴木 秀雄
国際超電導産業技術研究センター
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吉田 晃
超電導工学研究所
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谷田 義明
富士通研究所
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山口 正臣
富士通研究所
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鈴木 秀雄
財)国際超電導産業技術研究センター
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吉田 晃
富士通株式会社
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波頭 経裕
富士通株式会社
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田村 泰之
富士通研究所
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石丸 喜康
富士通株式会社
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阿曽 弘之
富士通研究所
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鈴木 秀雄
富士通株式会社
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波頭 経裕
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
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谷田 義明
富士通研
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児玉 茂夫
富士通研究所
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宮垣 真治
富士通研究所
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青木 正樹
富士通研究所 メモリデバイス研究部
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能代 英之
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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矢垣 真也
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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石丸 喜康
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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青木 正樹
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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青木 正樹
富士通株式会社ソフトウェア事業本部
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青木 正樹
富士通研究所
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青木 正樹
富士通研
著作論文
- 強誘電体をゲート絶縁膜に用いた誘電体ベーストランジスタ
- 28p-APS-22 LT-SEMによる超伝導薄膜の観察
- Al_2O_3-膜の電気特性に対する窒素添加効果
- 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたLSIの電気特性評価(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたLSIの電気特性評価(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)