佐藤 雅重 | 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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概要
関連著者
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佐藤 雅重
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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佐藤 雅重
(株)富士通研究所 ストレージシステム研究所
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小林 和雄
(株)富士通研究所 ストレージシステム研究所
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(株)富士通研究所 ストレージシステム研究所
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富士通研
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張 依群
富士通
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富士通株式会社
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佐藤 嘉洋
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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杉山 芳弘
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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富士通研究所
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富士通研究所 メモリデバイス研究部
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能代 英之
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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矢垣 真也
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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青木 正樹
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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富士通株式会社ソフトウェア事業本部
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富士通研
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吉田 親子
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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吉田 親子
(株)富士通研究所
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青木 正樹
富士通研究所
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杉山 芳弘
富士通研究所
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青木 正樹
富士通研
著作論文
- 窒化アルミニウムバリアを用いたTMR膜の諸特性
- 強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性
- CoFe層を持つスピンバルブライク強磁性トンネル膜
- トンネル型磁気抵抗素子の開発と磁気ヘッド, MRAMへの応用
- CoFe磁性層を持つ強磁性トンネル接合膜
- 酸素プラズマ放電による強磁性トンネル接合の作製
- Spin-valve-like トンネル膜の熱処理効果
- Co/Al-AlOx/NiFe(/FeMn)接合の強磁性トンネル効果
- 強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性
- 酸素プラズマ放電による強磁性トンネル接合の作製
- 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ)