佐藤 嘉洋 | 富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

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関連著者

• 佐藤 嘉洋

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通株式会社ソフトウェア事業本部

• 杉山 芳弘

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 青木 正樹

  富士通研究所

• 杉山 芳弘

  富士通研究所

• 佐藤 嘉洋

  (株)富士通研究所

• 能代 英之

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  (株)富士通研究所

• 岩佐 拓

  (株)富士通研究所

• 青木 正樹

  富士通研

• 佐藤 雅重

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 木下 健太郎

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 杉山 芳弘

  富士通株式会社

• 佐藤 嘉洋

  株式会社富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 吉田 親子

  富士通研究所

• 矢垣 真也

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 吉田 親子

  富士通研

• 吉田 親子

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 佐藤 嘉洋

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 吉田 親子

  (株)富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス

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著作論文

• 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ)
• MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• 不揮発性メモリ・ユニポーラ型ReRAMの90nm世代における回路動作の提案

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