杉山 芳弘 | 富士通株式会社

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 富士通株式会社の論文著者

関連著者

• 杉山 芳弘

  富士通株式会社

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 横山 直樹

  富士通株式会社

• 粟野 祐二

  富士通研

• 粟野 祐二

  富士通株式会社

• 粟野 祐二

  (株)富士通研究所

• 横山 直樹

  ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所

• 佐久間 芳樹

  富士通株式会社

• 武藤 俊一

  北海道大学工学部

• 武藤 俊一

  北海道大学大学院工学研究科

• 武藤 俊一

  北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 堀口 直人

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 二木 俊郎

  株式会社富士通研究所

• 二木 俊郎

  富士通株式会社

• 堀口 直人

  株式会社富士通研究所

• 島 昌司

  富士通株式会社

• 中田 義昭

  富士通研究所

• 佐藤 雅重

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 森 俊彦

  株式会社富士通研究所

• 森 俊彦

  富士通研究所

• 関口 隆史

  物質・材料研究機構

• 石川 浩

  株式会社富士通研究所

• 中尾 宏

  (株)富士通研究所

• 武藤 俊一

  富士通株式会社

• 中尾 宏

  富士通株式会社

• 森 俊彦

  富士通株式会社

• 高津 求

  富士通株式会社

• 石川 浩

  フェムト秒テクノロジー研究機構

• 関口 隆史

  東北大金研

• 関口 隆史

  独立行政法人 物質・材料研究機構

• 関口 隆史

  物材機構

• 佐藤 嘉洋

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 山田 和正

  科技団創造

• 山口 智弘

  科技団創造

• 羽田野 剛司

  科技団創造

• 樽茶 清悟

  科技団創造

• 横山 直樹

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター

• 太田 剛

  科技団創造

• 佐藤 俊彦

  科技団創造

• 関口 隆史

  物材研

• 武藤 俊一

  北大

• 杉山 芳弘

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 関口 隆史

  東北大理

• 関口 隆史

  金属材料研究所

• 関口 隆史

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 高津 求

  株式会社富士通研究所

• 山口 正臣

  富士通株式会社

• 足立原 孝実

  富士通株式会社

• Wirner C.

  富士通株式会社

• Strutz T.

  富士通株式会社

• Wirner C.

  Fujitsu Ltd.

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 山口 正臣

  富士通研究所

• 石川 浩

  RWCP光インターコネクション富士通研究室

• 菅原 充

  株式会社富士通研究所

• 向井 剛輝

  (株)富士通研究所

• 吉田 親子

  富士通研究所

• 小路 元

  (株) 富士通研究所

• 森 俊彦

  富士通

• 小路 元

  株式会社富士通研究所

• 中田 義昭

  株式会社富士通研究所

• 向井 剛輝

  株式会社富士通研究所

• 杉山 芳弘

  株式会社富士通研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 能代 英之

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 矢垣 真也

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 青木 正樹

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通株式会社ソフトウェア事業本部

• 吉田 親子

  富士通研

• 吉田 親子

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 吉田 親子

  (株)富士通研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所

• 杉山 芳弘

  富士通研究所

• 青木 正樹

  富士通研

• 関口 隆史

  物質・材料研究機構半導体材料センター

• 横山 直樹

  株式会社富士通研究所

• 杉山 芳弘

  (株)富士通研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• 量子化機能素子のためのAs-Grownナノ構造の作成
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
• (111)B GaAs基板上の正四面体溝にMOVPE成長した量子ドット構造
• 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
• 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
• 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
• SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
• VI. 半導体人工格子, 量子ドット 加工基板上に成長した半導体量子ドット
• 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
• 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ)
• 24pXP-5 単一の自己形成InAs二重結合量子ドットの電子輸送特性(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク