量子化機能素子のためのAs-Grownナノ構造の作成
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概要
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我々は、通産省の「量子化機能素子プロジェクト」において、量子箱を用いたメモリ素子の開発を行っている。この中で、新しい量子効果デバイスであるマルチエミッタRHETを開発し、メモリ動作、および3入力一致回路(AND/NOR回路)の動作を確認した。マルチエミッタRHETを用いると、SRAMのメモリセルが従来の1/6の要素(トランジスタと抵抗)数で構成できる。また周辺回路においても、多入力のNOR回路が1つのマルチエミッタRHETと一つの抵抗で構成できることにより、一桁以上の要素数の低減が計られる。この結果SRAMチップ全体でも、ほぼ一桁の要素数の低減になると見積もっている。このようなSRAMチップの実現のためには、2つの技術要素が重要であることが明らかになってきた。(1)As-grownデバイス化プロセス (2)量子箱トンネル物性の活用 以下、これらについて述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
森 俊彦
株式会社富士通研究所
-
森 俊彦
富士通研究所
-
中尾 宏
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
武藤 俊一
富士通株式会社
-
杉山 芳弘
富士通株式会社
-
佐久間 芳樹
富士通株式会社
-
中尾 宏
富士通株式会社
-
森 俊彦
富士通株式会社
-
高津 求
富士通株式会社
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
武藤 俊一
北海道大学工学部
-
高津 求
株式会社富士通研究所
-
森 俊彦
富士通
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