ラマン分光法およびXPSによるSiO_2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究(配線・実装技術と関連材料技術)

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概要

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• 光電子制御プラズマCVDはグラファイト材料を低温成長(〜400℃)、触媒無し、大面積で成長できる有力な手法である。本研究ではSiO_2(90 nm)/Si基板上に多層グラフェンを形成し、光電子スペクトル、ラマンスペクトル、X線吸収スペクトルの成長時間依存を調べた。XPSによるC 1sおよびSi 2p光電子スペクトルの観察結果から、多層グラフェン膜厚は時間に対し線形関係があり、成長開始から4分までは成長速度が小さいことが分かった。ラマン分光およびXASによる観察結果から4分までは水平配向性が高く結晶粒径が10nm程度の多層グラフェンが成長しており、4分以降で徐々にアモルファス結晶化していくことが分かった。この結果から、光電子制御プラズマCVDを用いてSiO_2/Si基板上に多層グラフェンを1nm程度の厚さまで水平方向の配向を保ったまま成長できることが分かった。

• 2012-02-27

著者

• 室 隆桂之

  JASRI

• 室隆 桂之

  SPring-8 JASRI

• 室 隆桂之

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 横山 直樹

  神戸大学小児科

• 室 隆桂之

  高輝度光科学研究センター

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 横山 直樹

  富士通

• 池永 英司

  Crest・jst

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 小川 修一

  東北大学多元物質科学研究所

• 高桑 雄二

  東北大学多元物質科学研究所

• 小川 修一

  東北大学 多元物質科学研究所

• 高桑 雄二

  東北大学 多元物質科学研究所

• 池永 英司

  (財)高輝度光科学研究センター

• 池永 英司

  財団法人高輝度光科学研究センター(JASRI)

• 二瓶 瑞久

  Mirai-selete

• 佐藤 元伸

  富士通株式会社

• 横山 直樹

  岡山大学大学院工学研究科

• 横山 直樹

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 池永 英司

  高輝度光科学研究センター:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業

• 二瓶 瑞久

  科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業

• 二瓶 瑞久

  独立行政法人産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 尾白 佳大

  東北大学多元物質科学研究所

• 犬飼 学

  財団法人高照度光科学研究センター

• 佐藤 元伸

  東北大学多元物質科学研究所

• 二瓶 瑞久

  (独)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 横山 直樹

  (独)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 池永 英司

  財団法人高照度光科学研究センター

• 室 隆桂之

  SPring-8-JASRI

• 佐藤 元伸

  東北大学多元物質科学研究所:(独)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 二瓶 瑞久

  (独)産業技術総合研究所 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 横山 直樹

  (独)産業技術総合研究所 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 横山 直樹

  神戸大学医学部附属病院周産母子センター

• 二瓶 瑞久

  (独)産業技術総合研究所 連携研究体 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

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