極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
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概要
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低エネルギーイオン注入法を用いて, 均一なサイズのSnナノクリスタルをSi基板上の極薄熱酸化膜中に作製した.この構造を用いたダイオードの電流-電圧特性において, 4.2Kで明りょうなクーロンステアケースと0V近傍の電流抑制領域が観測された.この電流抑制領域は高温(77K)まで観測され, 本研究において単一電子デバイスの実用化への可能性を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-25
著者
-
中尾 宏
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
富士通研究所
-
中島 安理
(株)富士通研究所
-
二木 俊郎
(株)富士通研究所
-
堀口 直人
(株)富士通研究所
-
二木 俊郎
株式会社富士通研究所
-
堀口 直人
株式会社富士通研究所
-
中島 安理
(株)富士通研究所:(現)広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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