CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
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概要
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CV測定を用いてInAs自己形成ドットの電子および正孔の量子準位を独立に決定した。電子の量子準位はGaAsの伝導帯の底から120meV、正孔の量子準位はGaAsの価電子帯から180meVのところにあることがわかった。この結果は低温におけるPLの結果と一致する。さらに、InAsドットに起因する容量ピークの測定周波数依存性からInAsドットへのキャリアのトンネル時定数を見積もった。トンネルバリア厚さ40nmの試料における電子の時定数、トンネルバリア厚さ20nmの試料における正孔の時定数はともにμsecのオーダーであった。同じトンネルバリア厚さをもつ試料では電子の時定数は正孔より4〜5けた小さいことが見積もられた。この違いは電子と正孔の量子準位、有効質量の違いに起因すると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-04-24
著者
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
二木 俊郎
株式会社富士通研究所
-
堀口 直人
株式会社富士通研究所
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
中田 義昭
富士通研究所
-
堀口 直人
株式会社 富士通研究所
-
二木 俊郎
株式会社 富士通研究所
-
中田 義昭
株式会社 富士通研究所
-
横山 直樹
株式会社 富士通研究所
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