二木 俊郎 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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堀口 直人
株式会社富士通研究所
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堀口 直人
(株)富士通研究所
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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中田 義昭
富士通研究所
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横山 直樹
富士通株式会社
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粟野 祐二
富士通研
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二木 俊郎
富士通株式会社
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粟野 祐二
富士通株式会社
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粟野 祐二
(株)富士通研究所
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武藤 俊一
北海道大学大学院工学研究科
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杉山 芳弘
富士通株式会社
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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武藤 俊一
北海道大学工学部
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武藤 俊一
北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻
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中尾 宏
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通研究所
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中島 安理
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
(株)富士通研究所
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中島 安理
(株)富士通研究所:(現)広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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臼杵 達也
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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臼杵 達哉
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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佐久間 芳樹
富士通株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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工藤 寛
富士通研究所
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筑根 敦弘
富士通研究所
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二木 俊郎
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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堀口 直人
株式会社 富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社 富士通研究所
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中田 義昭
株式会社 富士通研究所
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横山 直樹
株式会社 富士通研究所
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後藤 賢一
富士通株式会社 次世代lsi開発事業部
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関口 隆史
物質・材料研究機構
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河野 隆宏
富士通(株)
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北田 秀樹
富士通研究所
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清水 紀嘉
富士通研究所
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中村 友二
富士通研究所
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関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
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関口 隆史
物材機構
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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臼杵 達哉
(株)富士通研究所
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後藤 賢一
(株)富士通研究所
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関口 隆史
物材研
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落水 洋聡
(株)富士通研究所
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関口 隆史
東北大理
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関口 隆史
金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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島 昌司
富士通株式会社
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Wirner C.
富士通株式会社
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Strutz T.
富士通株式会社
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Wirner C.
Fujitsu Ltd.
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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中村 友二
(株)富士通研究所
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羽根田 雅希
富士通研究所
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落水 洋聡
富士通研究所
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岡野 俊一
富士通研究所
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大塚 信幸
富士通研究所
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砂山 理江
富士通研究所
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鈴木 貴志
富士通研究所
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田平 貴裕
富士通研究所
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酒井 久弥
富士通
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天利 聡
富士通
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松山 英也
富士通
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三浦 登
東京大学物性研究所
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臼杵 達哉
株式会社富士通研究所
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後藤 賢一
株式会社富士通研究所
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杉井 寿博
株式会社富士通研究所
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横山 直樹
富士通(株)
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大場 隆之
東京大学
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関口 隆史
東北大学金属材料研究所
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佐久間 芳樹
富士通(株)
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二木 俊郎
富士通(株)
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内田 和人
東京大学物性研究所
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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中石 雅文
富士通(株)
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中田 義弘
株式会社富士通研究所
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射場 義久
富士通株式会社
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鈴木 貴志
株式会社 富士通研究所
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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射場 義久
富士通マイクロエレクトロニクス
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石川 健治
富士通研究所
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石川 健治
富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部
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尾崎 史朗
富士通研究所
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中田 義弘
富士通研究所
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中石 雅文
富士通マイクロエレクトロニクス
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秋山 深一
富士通マイクロエレクトロニクス
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水島 賢子
富士通研究所
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林 雅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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河野 隆宏
富士通マイクロエレクトロニクス
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岩田 浩
富士通マイクロエレクトロニクス
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酒井 久弥
富士通マイクロエレクトロニクス
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天利 聡
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通
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水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所
著作論文
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
- 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄トンネル酸化膜を有するフローティングゲートメモリ : ダイレクトトンネルメモリ(DTM)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 正四面体溝を利用した量子ドット形成
- CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
- CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
- ダイレクトトンネルメモリ(DTM)の展望
- 量子コンピュ-タとその将来
- 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上