筑根 敦弘 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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落水 洋聡
(株)富士通研究所
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筑根 敦弘
(株)富士通
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山本 智彦
富士通株式会社
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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早見 由香
(株)富士通研究所
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助川 和雄
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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池田 和人
富士通研究所
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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宮下 俊彦
(株)富士通研究所
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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山本 知成
(株)富士通研究所
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三本杉 安弘
(株)富士通研究所
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迫田 恒久
(株)富士通研究所
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南方 浩志
(株)富士通研究所
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大越 克明
富士通株式会社
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福田 真大
富士通株式会社
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岡部 堅一
富士通株式会社
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久保 智裕
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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大和田 保
富士通株式会社
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森 年史
富士通株式会社
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池田 和人
(株)富士通研究所
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加勢 正隆
富士通株式会社
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加瀬 正隆
富士通
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工藤 寛
富士通研究所
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筑根 敦弘
富士通研究所
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二木 俊郎
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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佐藤 幸博
(株)富士通
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河野 隆宏
富士通(株)
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北田 秀樹
富士通研究所
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清水 紀嘉
富士通研究所
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中村 友二
富士通研究所
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原田 秀樹
(株)富士通
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助川 和雄
富士通株式会社
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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中村 友二
(株)富士通研究所
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羽根田 雅希
富士通研究所
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落水 洋聡
富士通研究所
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岡野 俊一
富士通研究所
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大塚 信幸
富士通研究所
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砂山 理江
富士通研究所
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鈴木 貴志
富士通研究所
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田平 貴裕
富士通研究所
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酒井 久弥
富士通
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天利 聡
富士通
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松山 英也
富士通
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大場 隆之
東京大学
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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中石 雅文
富士通(株)
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中田 義弘
株式会社富士通研究所
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射場 義久
富士通株式会社
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鈴木 貴志
株式会社 富士通研究所
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武石 俊作
(株)富士通
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工藤 寛
(株)富士通
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篠原 理華
(株)富士通
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宮澤 久
(株)富士通
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山田 雅雄
(株)富士通
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射場 義久
富士通マイクロエレクトロニクス
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石川 健治
富士通研究所
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石川 健治
富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部
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篠原 理華
富士通株式会社プロセス開発部第四開発部
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尾崎 史朗
富士通研究所
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中田 義弘
富士通研究所
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中石 雅文
富士通マイクロエレクトロニクス
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秋山 深一
富士通マイクロエレクトロニクス
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水島 賢子
富士通研究所
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林 雅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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河野 隆宏
富士通マイクロエレクトロニクス
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岩田 浩
富士通マイクロエレクトロニクス
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酒井 久弥
富士通マイクロエレクトロニクス
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天利 聡
富士通マイクロエレクトロニクス
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武石 俊作
富士通株式会社プロセス開発部第四開発部
-
山田 雅雄
富士通株式会社プロセス開発部第四開発部
-
水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
著作論文
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
- 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- N_2Oプラズマアニールによるフッ素ドープSiO_2(SiOF)膜の比誘電率の安定化
- 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上