加勢 正隆 | 富士通株式会社
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概要
関連著者
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加勢 正隆
富士通株式会社
-
加瀬 正隆
富士通
-
森 年史
富士通株式会社
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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橋本 浩一
富士通(株)
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加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
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ピディン S.
富士通
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堀 充明
富士通
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ピディン S.
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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後藤 賢一
富士通株式会社 次世代lsi開発事業部
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森 年史
富士通(株)
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後藤 賢一
(株)富士通研究所
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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児島 学
富士通
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山本 智彦
富士通株式会社
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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早見 由香
(株)富士通研究所
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森岡 博
富士通(株)
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助川 和雄
(株)富士通研究所
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小倉 輝
富士通、あきる野テクノロジセンター
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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池田 和人
富士通研究所
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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宮下 俊彦
(株)富士通研究所
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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山本 知成
(株)富士通研究所
-
三本杉 安弘
(株)富士通研究所
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落水 洋聡
(株)富士通研究所
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迫田 恒久
(株)富士通研究所
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南方 浩志
(株)富士通研究所
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大越 克明
富士通株式会社
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福田 真大
富士通株式会社
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岡部 堅一
富士通株式会社
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久保 智裕
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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大和田 保
富士通株式会社
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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池田 和人
(株)富士通研究所
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森岡 博
富士通株式会社
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稲垣 聡
富士通
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大田 裕之
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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籾山 陽一
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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小倉 輝
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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稲垣 聡
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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田村 直義
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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杉井 寿博
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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生田 哲也
富士通株式会社lsi事業本部
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品川 盛治
武蔵工業大学工学部
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岡本 英介
武蔵工業大学工学部
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吉田 徹史
武蔵工業大学工学部
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
ピディン セルゲイ
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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田川 幸雄
富士通株式会社
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中村 亮
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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斎木 孝志
富士通
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籾山 陽一
富士通(株)
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ピデイン セルゲイ
富士通(株)次世代LSI開発事業部
-
斎木 孝志
富士通(株)次世代LSI開発事業部
-
佐藤 成生
富士通(株)次世代LSI開発事業部
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品川 盛治
武蔵工業大学
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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筑根 敦弘
(株)富士通
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学
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大田 裕之
富士通、あきる野テクノロジセンター
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田村 直義
富士通研究所
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橋本 浩一
富士通プロセス開発部第1開発部
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助川 和雄
富士通株式会社
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松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
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松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
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瀬木 利夫
京都大学 大学院工学研究科 原子核工学専攻
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青木 学聡
京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
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山田 公
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
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草場 拓也
京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設
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瀬木 利夫
京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設
-
青木 学聡
京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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田川 幸雄
富士通
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田川 幸雄
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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橋本 浩一
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
児島 学
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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山田 公
京大
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加瀬 正隆
富士通株式会社LSI事業本部
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橋本 浩一
富士通
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加勢 正隆
富士通
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青木 学聡
クラスターイオンビーム集中研究体
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杉井 寿博
富士通
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山田 公
京都大学
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後藤 賢一
富士通
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田村 直義
富士通セミコンダクター株式会社
著作論文
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
- 65nmノード用高性能25nm CMOS技術
- 65nmノード用高性能25nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))