Nohira Hiroshi | Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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概要
関連著者
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター
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品川 盛治
武蔵工業大学
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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樋口 正顕
株式会社東芝
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池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
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Hattori Tetsuya
Depaetment Of Electrical And Electronic Engineering Tokyo Institute Of Technology
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品川 誠治
武蔵工業大学工学部
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HATTORI Takeo
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
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須川 成利
東北大学工学研究科技術社会システム
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樋口 正顕
東北大学工学研究科
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吉田 徹史
武蔵工業大学工学部
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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Hattori Takashi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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TERAMOTO Akinobu
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
小林 啓介
高輝度光科学研究センター
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高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
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高橋 健介
武蔵工大工
-
高橋 健介
武蔵工業大学工学部
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OHMI Tadahiro
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
白石 貴義
武蔵工業大学工学部
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Sugawa S
Graduate School Of Engineering Tohoku University
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Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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Hattori Takeo
Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology
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NOHIRA Hiroshi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology
-
Nohira Hiroshi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Musashi Institute Of Technology
-
HIGUCHI Masaaki
TOSHIBA CORPORATION
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SUGAWA Sigetoshi
Tohoku University
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大見 忠弘
東北大学
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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高田 恭孝
理化学研究所量子秩序研究チーム
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高田 恭孝
理化学研究所放射光物性研究室-spring-8
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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辛 埴
理化学研究所・播磨研究所
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荒谷 崇
信越化学工業株式会社
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
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品川 盛治
武蔵工業大学工学部
-
岡本 英介
武蔵工業大学工学部
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東 和文
(株)液晶先端技術開発センター
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
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Ikenaga Eiji
Japan Synchrotron Radiation Research Institute
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ARATANI Takashi
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
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NOHIRA Hiroshi
Musashi Institute of Technology
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小林 啓介
物材機構
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中田 行彦
株式会社液晶先端技術開発センター
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Takahashi K
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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野平 博司
武蔵工大
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服部 健雄
武蔵工大
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池永 英司
Crest・jst
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セマン ムスタファ
武蔵工業大学工学部
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荒谷 崇
東北大学大学院工学研究科
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樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
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Kobayashi Keisuke
JASRI SPring8
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Takahashi K
National Inst. Res. In Inorganic Materials Ibaraki Jpn
-
加勢 正隆
富士通株式会社
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堀 充明
富士通
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堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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加瀬 正隆
富士通
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学
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SUGAWA Shigetoshi
Graduate School of Engineering, Tohoku University
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生田 哲也
富士通株式会社lsi事業本部
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塩路 昌利
武蔵工業大学工学部
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中田 行彦
(株)液晶先端技術開発センター
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IKENAGA Eiji
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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Teramoto A
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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TAKAHASHI Kaoru
Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology
-
Takahashi K
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Tecnology
-
SUWA Tomoyuki
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
USHIO Jiro
Hitachi, Ltd.
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SHINAGAWA Seiji
Musashi Institute of Technology
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HIRAYAMA Masaki
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
Takahashi K
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
-
Nakamura Tomohiro
Department of Internal Medicine, Saitama Medical Center, Jichi Medical University
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矢橋 牧名
JASRI
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玉作 賢治
理研
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室 隆桂之
JASRI
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
京大
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吉信 淳
東大物性研
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室隆 桂之
SPring-8 JASRI
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木村 健二
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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中嶋 薫
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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島田 賢也
広大放射光
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原田 慈久
東大院工
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大見 俊一郎
東京工業大学
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小林 啓介
JASRI SPring-8
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山下 良之
物材機構
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高田 恭孝
理研
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大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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矢橋 牧名
SPring-8 JASRI
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澤野 憲太郎
東京都市大学 総合研究所
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池永 英司
JASRI SPring-8
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西野 吉則
理研
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西野 吉則
理研/SPring-8
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向井 孝三
東大物性研
-
玉作 賢治
理化学研究所播磨研究所
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大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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吉信 淳
東京大学物性研究所
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生天目 博文
広大放射光
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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TOKUSHIMA Takashi
RIKEN/SPring-8
-
HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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西野 吉則
理化学研究所
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徳島 高
理研:spring8
-
島田 賢也
SPring-8
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田村 直義
富士通研究所
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
-
三輪 大吾
理研 Spring-8
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石川 哲也
理化学研究所放射光科学総合研究センター
-
徳島 高
理研 Spring-8
-
原田 慈久
理研 SPring-8
-
山下 良之
東大物性研
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小口 和博
東大物性研
-
幸 埴
東大物性研
-
三輪 大吾
SPring-8
-
有田 将司
理研
-
小林 啓介
広大放射光
-
角嶋 邦之
東工大総理工
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堀場 弘治
理研 SPring-8
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堀場 弘司
東大工:jst-crest
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中嶋 薫
京大院工
-
木村 健二
京大院工
-
中嶋 薫
京都大学大学院工
-
鈴木 基史
京都大学大学院工
-
木村 健二
京都大学大学院工
-
室 桂隆之
JASRI SPring-8
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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セマン ムスタファ
武蔵工業大学 工学部
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中村 智裕
武蔵工業大学工学部
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池永 英司
SPring-8 JASRI
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小村 政則
東北大学工学研究科
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白木 靖寛
都市大総研
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筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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生天目 博文
SPring-8
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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牛尾 二郎
株式会社日立製作所
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濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
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服部 武雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
小村 政則
東北大学大学院工学研究科
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上野 和良
芝浦工大
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廣瀬 和之
宇宙研
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澤野 憲太郎
都市大総研
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
-
廣瀬 和之
宇宙科学研
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白木 靖寛
東京都市大学
-
中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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MORITA Mizuho
Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
加瀬 正隆
富士通株式会社LSI事業本部
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SAITO Kenji
Department of Hematology, Dokkyo Medical School of Medicine
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SEMAN Mustafa
武蔵工業大学工学部
-
鈴木 伸子
総合研究大学院大学
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山脇 師之
総合研究大学院大学
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OGAWA Hiroki
Department of Surgery, Otsu Red Cross Hospital
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
-
岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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小林 大輔
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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鈴木 治彦
武蔵工業大学工学部
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
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Morita M
Department Of Electronics Tohoku University
-
Morita Mizuho
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tohoku University
-
柏木 郁未
東京工業大学総合理工学研究科
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大島 千鶴
東京工業大学フロンティア研究所
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城森 慎司
京都大学大学院工学研究科
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服部 健雄
宇宙科学研究所
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KASE Masataka
Fujitsu Ltd.
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Morita M
Advanced Materials & Technology Research Laboratories Nippon Steel Corporation
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MAKIHARA Koji
Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tohoku University
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HIGUCHI Masaaki
Graduate School of Engineering, Tohoku University
-
ARATANI Takashi
Graduate School of Engineering, Tohoku University
-
HAMADA Tatsufumi
Graduate School of Engineering, Tohoku University
-
TERAMOTO Akinobu
The New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University
-
HATTORI Takeo
The New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University
-
IKENAGA Eiji
JASRI/SPring8
-
長谷川 覚
武蔵工業大学工学部
-
小林 大輔
宇宙科学研究本部
-
鹿瀬 和之
総合研究大学院大学
-
東 和文
液晶先端技術開発センター
-
堀場 弘司
JASRI
-
野平 博司
理研
-
服部 健雄
SPring-8
-
谷口 雅樹
武蔵工大
-
辛 埴
武蔵工大
-
石川 哲也
広大放射光
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
鹿瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
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Goto Tetsuya
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
著作論文
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
- Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
- Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
- 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
- Electric characteristics of Si_3N_4 films formed by directly radical nitridation on Si (110) and Si (100) surfaces
- XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- high-k 膜のXPSによる評価
- ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 13aXC-10 硬 X 線光電子分光の高分解能化・高効率化(吸収分光・MCD・光電子分光, 領域 5)
- Depth Profile of Various Bonding Configration of Nitrogen Atoms in Silicon Oxynitrides formed by Plasma Nitridation
- Damage-Free Microwave-Excited Plasma Contact Hole Etching without Carrier Deactivation at the Interface between Silicide and Heavily-Doped Si
- Atomic-Scale Depth Profiling of Oxides/Si(111) and Oxynitrides/Si(100) Interface
- Influence of Interface Structure on Oxidation Rate of Silicon : Surfaces, Interfaces, and Films
- ULSIゲート絶縁膜の高輝度軟X線・硬X線光電子分光 (特集/放射光利用とナノテクノロジー)
- 23pZN-4 極薄Si酸化膜の表面と界面の構造 : 膜成長にともなう構造変化
- Effect of Preoxide on the Structure of Thernmal Oxide
- プレオキサイドを介した水素終端Si(111)面の初期酸化過程
- Initial Stage of SiO_2/Si Interface Formation on Si(111) Surface
- XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AR-XPSによる種々の表面処理したIn_Ga_As表面の化学結合状態の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AR-XPS及びHAX-PESによるSiO_2/SiC界面の化学結合状態評価(プロセス科学と新プロセス技術)