プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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シリコン酸化膜の窒素プラズマ中処理により形成した膜厚約1nmのシリコン酸窒化膜中の窒素原子の分布を、角度分解Si2p・N1s光電子スペクトルを測定することにより調べた。その結果、窒素原子は表面近傍のみでなく、膜中にも界面にも存在することが分かった。窒素原子の化学結合状態についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-07
著者
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
服部 健雄
武蔵工業大学工学部
-
野平 博司
武蔵工業大学工学部
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
加勢 正隆
富士通株式会社
-
堀 充明
富士通
-
堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
加瀬 正隆
富士通
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
-
生田 哲也
富士通株式会社lsi事業本部
-
品川 盛治
武蔵工業大学工学部
-
岡本 英介
武蔵工業大学工学部
-
吉田 徹史
武蔵工業大学工学部
-
加瀬 正隆
富士通株式会社LSI事業本部
-
品川 盛治
武蔵工業大学
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学
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