SiO_2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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酸素ラジカルおよび酸素分子で形成したSiO_2膜について、Si 2ρからの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを測定し、SiO_2/Si界面近傍の組成遷移層の化学結合状態の違いを明らかにした。酸素ラジカルにより形成した酸化膜では、1) Si^<2+>とSi^<3+>は同じ層に存在し、2) Si^<1+>はSi^<2->とSi^<3+>層より下の層に存在する。一方で、酸素分子により900℃で形成した酸化膜では、1) Si^<1+>とSi^<2+>は同じ層に存在し、2) Si^<1+>とSi^<2+>はSi^<3+>層よりも下の層に存在する。
- 2011-10-13
著者
-
室 隆桂之
JASRI
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
室隆 桂之
SPring-8 JASRI
-
大見 忠弘
東北大学
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
-
室 桂隆之
JASRI SPring-8
-
服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
熊谷 勇喜
東北大学大学院工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
-
木下 豊彦
高輝度光科学研究センター
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
室 隆桂之
Jasri/spring-8
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
室隆 桂之
高輝度光科学研究センター
-
室 隆桂之
SPring-8-JASRI
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
-
木下 豊彦
高輝度光科学研究セ
-
木下 豊彦
高輝度光科学光科学研究センター
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